하드웨어 튜토리얼 하드웨어 뉴스 Baiwei는 DDR5 메모리와 PCIe 솔리드 스테이트 드라이브가 내장된 e스포츠 스토리지 제품 'Wukong' 시리즈를 출시했습니다.

Baiwei는 DDR5 메모리와 PCIe 솔리드 스테이트 드라이브가 내장된 e스포츠 스토리지 제품 'Wukong' 시리즈를 출시했습니다.

Jan 06, 2024 pm 07:41 PM
메모리

Baiwei Storage는 4가지 메모리 및 SSD 제품을 포함하여 "Wukong"이라는 게임용 스토리지 제품 시리즈 출시를 발표했습니다. 이 소식은 12월 31일에 발표되었습니다.

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Wukong DX100 눈부신 RGB 메모리는 블랙과 실버 버전으로 제공됩니다. 가격 측면:

32G(16G×2) 6000 C30 버전의 가격은 749위안입니다.

64G(32G×2) 6000 C30 버전 제품으로 가격은 1,599위안입니다.

본 제품은 64GB 메모리스틱으로, 32GB 메모리스틱 2개가 포함되어 있으며, 모델번호는 6400 C32입니다. 현재 가격은 1,699위안이다.

이 제품은 32G(16G×2) 6600 C34 버전이며 가격은 799위안입니다.

이 제품은 16G 메모리 모듈 2개가 포함된 32G 메모리 세트이며, 모델은 6800 C34입니다. 현재 판매 가격은 999 위안입니다.

NV7400 시리즈 PCIe 4.0 솔리드 스테이트 드라이브는 고급 3D TLC 입자를 사용하는 하드 드라이브입니다. 이 시리즈는 512GB, 1TB, 2TB, 4TB 등 4가지 용량 버전으로 제공됩니다. 이 하드 드라이브는 HBM 버퍼 기술을 사용하여 읽기 속도가 7050MB/s(512GB 버전) 및 7450MB/s(나머지 세 가지 버전)이고 쓰기 속도가 6500MB/s입니다. 동시에 임의 읽기 및 쓰기 속도는 1000K/900K IOPS에 도달할 수 있습니다. 4TB 버전의 하드 드라이브는 최대 150만 시간의 수명을 가지며 4000TBW의 신뢰성을 제공합니다.

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이 웹사이트의 가격과 사양은 다음과 같습니다.

512GB 버전 289위안

1TB 버전 449위안

2TB 버전 749위안

4TB 버전 1399위안

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NV35 00 시리즈 PCIe 3.0 512GB, 1TB, 2TB 버전으로 출시되는 SSD는 각각 269위안, 399위안, 649위안으로 읽기 속도 3500MB/s, 쓰기 속도 3000MB/s를 제공하며 수명은 1200TBW이다.

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위 내용은 Baiwei는 DDR5 메모리와 PCIe 솔리드 스테이트 드라이브가 내장된 e스포츠 스토리지 제품 'Wukong' 시리즈를 출시했습니다.의 상세 내용입니다. 자세한 내용은 PHP 중국어 웹사이트의 기타 관련 기사를 참조하세요!

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초보 사용자가 컴퓨터를 구입할 때 8g과 16g 컴퓨터 메모리의 차이점이 궁금할 것입니다. 8g 또는 16g을 선택해야 합니까? 이 문제에 대해 오늘 편집자가 자세히 설명해 드리겠습니다. 컴퓨터 메모리 8g과 16g 사이에 큰 차이가 있나요? 1. 일반 가족이나 일반 업무의 경우 8G 런닝 메모리가 요구 사항을 충족할 수 있으므로 사용 중에는 8g와 16g 사이에 큰 차이가 없습니다. 2. 게임 매니아가 사용하는 경우 현재 대규모 게임은 기본적으로 6g부터 시작하며, 8g가 최소 기준입니다. 현재 화면이 2k인 경우 해상도가 높아진다고 프레임 속도 성능이 높아지는 것은 아니므로 8g와 16g 사이에는 큰 차이가 없습니다. 3. 오디오 및 비디오 편집 사용자의 경우 8g와 16g 사이에는 분명한 차이가 있습니다.

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보고서에 따르면 삼성전자 김대우 상무는 2024년 한국마이크로전자패키징학회 연차총회에서 삼성전자가 16단 하이브리드 본딩 HBM 메모리 기술 검증을 완료할 것이라고 밝혔다. 해당 기술은 기술검증을 통과한 것으로 알려졌다. 보고서는 이번 기술 검증이 향후 몇 년간 메모리 시장 발전의 초석을 마련하게 될 것이라고 밝혔다. 김대우 사장은 삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 바탕으로 16단 적층 HBM3 메모리를 성공적으로 제조했다고 밝혔다. ▲이미지 출처 디일렉, 아래와 동일 하이브리드 본딩은 DRAM 메모리층 사이에 범프를 추가할 필요 없이 상하층 구리를 직접 연결하는 방식이다.

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21일 본 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 분기별 재무보고서를 발표한 뒤 컨퍼런스콜을 가졌다. 컨퍼런스에서 Micron CEO Sanjay Mehrotra는 기존 메모리에 비해 HBM이 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비한다고 말했습니다. 마이크론은 동일한 노드에서 동일한 용량을 생산할 때 현재 가장 발전된 HBM3E 메모리는 표준 DDR5보다 3배 더 많은 웨이퍼를 소비하며 성능이 향상되고 패키징 복잡성이 심화됨에 따라 향후 HBM4 이 비율은 더욱 높아질 것으로 예상된다고 밝혔습니다. . 이 사이트의 이전 보고서를 참조하면 이러한 높은 비율은 부분적으로 HBM의 낮은 수율 때문입니다. HBM 메모리는 다층 DRAM 메모리 TSV 연결로 적층됩니다. 한 층에 문제가 있다는 것은 전체가 의미합니다.

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