삼성의 280단 적층 QLC 플래시 메모리 기술로 스토리지의 새로운 시대를 열다

삼성은 최근 차세대 V9 QLC 플래시 메모리 기술을 적극적으로 개발하고 있다고 밝혔습니다. 이 기술은 최대 280단 적층이 가능하며 연내 정식 출시될 예정이다. 이러한 기술 혁신은 스토리지 용량과 성능을 크게 향상시킬 것입니다.

삼성 V9이 출시된 것으로 알려졌습니다. QLC 플래시 메모리 기술의 저장 밀도는 평방 밀리미터당 28.5Gb라는 놀라운 수준에 도달할 것입니다. 이는 현재 시장을 선도하는 양쯔 메모리 232층 QLC 기술의 20.62Gb에 비해 최대 36% 증가한 수치입니다. 동시에 Micron의 19.5Gb 232레이어 솔루션, 14.4Gb의 SK Hynix 176레이어 솔루션, Western Digital/KioXia의 162레이어 솔루션 등 다른 경쟁사의 QLC 솔루션은 스토리지 밀도 측면에서 비교할 수 없습니다. 13.86GB. 이 중요한 이점은 V9 기반 QLC 기술이 적용된 SSD는 이론적으로 단면 8TB, 양면 16TB의 초고용량을 구현할 수 있다. 물론 최종 제품의 용량은 시장 수요에 따라 조정될 필요가 있다.

성능면에서는 Samsung V9이 QLC 플래시 기술도 성능이 좋습니다. 편집자의 이해에 따르면 최대 전송 속도는 3200MT/s에 달할 수 있으며 이는 현재 시장 최고 속도인 2400MT/s보다 높은 수준입니다. 이 성능은 향후 PCIe의 요구 사항도 충족할 수 있습니다. 6.0 솔루션에 대한 수요는 강력한 예측을 보여줍니다. 그러나 QLC 솔루션은 실제 애플리케이션에서 pSLC 버퍼링 기술에 의존하는 경우가 많아 용량의 일부를 캐시로 사용해야 하므로 실제 성능은 아직 지켜봐야 합니다. 그럼에도 불구하고 TLC 기술의 잠재력이 점차 고갈됨에 따라 QLC가 시장의 주류 선택이 되었습니다. 다양한 제조사들이 잇달아 QLC 기술로 눈을 돌리고 있으며, 삼성 역시 2022년부터 QLC 기술 연구개발에 주력을 쏟고 있다.

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