1c나노 세대 메모리 경쟁: 삼성은 EUV 활용 확대 계획, 마이크론은 몰리브덴·루테늄 소재 선보일 예정

한국 언론 더일렉은 삼성과 마이크론이 차세대 D램 메모리인 1c나노 공정에서 더 많은 신기술을 선보일 것이라고 보도했다. 이번 조치로 메모리 성능과 에너지 효율성이 더욱 향상될 것으로 기대된다. 글로벌 DRAM 시장의 선두주자로서 삼성전자와 마이크론의 기술 혁신은 전체 산업 발전을 촉진할 것입니다. 이는 또한 미래의 메모리 제품이 더욱 효율적이고 강력해질 것임을 의미합니다.

이 웹사이트의 참고 사항: 1c nm 세대는 여섯 번째 10+ nm 세대이며 Micron에서는 이를 1γ nm 프로세스라고도 부릅니다. 현재 가장 발전된 메모리는 1bnm 세대이며, 삼성은 1bnm를 12nm급 공정이라고 부릅니다.

분석업체 TechInsights의 최정동 전무는 최근 세미나에서 마이크론이 1c nm 노드에서 몰리브덴(Mo, 발음: mù)과 루테늄(Ru, 발음: liuho)을 최초로 도입할 것이라고 밝혔습니다. . 이 두 금속은 메모리의 워드라인과 비트라인의 배선재료로 사용될 예정이다.

몰리브덴과 루테늄은 현재 사용되는 텅스텐(W)보다 저항이 낮아 DRAM 선폭을 더욱 압축할 수 있습니다. 그러나 루테늄에도 고유한 문제가 있습니다. 공정 중에 반응하여 독성 사산화루테늄(RuO4)이 형성되어 유지 관리 작업에 새로운 문제를 야기합니다. 최정동은 삼성과 SK하이닉스가 1~2세대 뒤에는 이 두 금속을 선보일 것이라고 믿고 있다.

삼성 측은 EUV 기술 적용을 더욱 확대할 예정입니다

. 삼성전자는 메모리 3사 중 가장 먼저 EUV를 도입해 워드라인, 비트라인 등 레이어에 적용해 왔다. 1cnm에서는 EUV 적용이 레이어 8~9까지 확대될 것으로 예상된다. 마이크론의 경우 처음으로 1γnm 노드에서 EUV 리소그래피를 도입할 예정입니다. 10nm 이하 공정의 미래를 내다보며 최정동 대표는 3대 제조사가 3D DRAM과 4F

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DRAM 등 추가 축소를 위한 방안을 연구하고 있으며, 네오세미컨덕터가 제안한 X-DRAM도 마찬가지라고 말했다. 그리고 캐패시터를 사용하지 않는 1T DRAM이 가능한 방향입니다.

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