Zhidai PRO 전문 고속 메모리 카드 1TB 버전 출시, 초기 가격은 849위안
3월 8일 이 사이트의 소식에 따르면 Zhidai는 오늘 최대 순차 읽기 속도가 170MB/s인 1TB 버전의 PRO 전문 고속 메모리 카드를 출시했습니다. 공식 가격은 999위안입니다. 사전 판매 활동에서 초기 가격은 849위안입니다.
순차 읽기 속도는 최대 170MB/s, 쓰기 속도는 최대 120MB/s, U3, V30, A2 및 기타 속도 레벨을 지원하여 풀 HD FHD 또는 4K 비디오 촬영 및 고속 연속 촬영이 가능합니다. RAW 형식으로 촬영.
공식에서는 Zhidao PRO 전문 고속 스토리지도 제공합니다. 전체 카드 시리즈는 평생 보증을 제공합니다. 운전 기록 장치, CCTV, 감시 카메라와 같은 집중 장비를 제외하고는 교체만 가능하며 수리는 불가능합니다.
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5월 24일 본 웹사이트의 소식에 따르면, 스토리지 회사인 Transcend는 최근 산업용 등급 CFast2.0 메모리 카드 CFX730과 CFX610 두 가지를 출시한다고 발표했습니다. 이 사이트의 참고 사항: CFast 메모리 카드는 주로 산업 시장과 사진 및 비디오 장비를 대상으로 합니다. SATA 프로토콜을 기반으로 하며 최신 버전인 CFast2.0은 SATAIII6Gbps 전송 인터페이스를 지원합니다. 두 메모리 카드 모두 112단 3D 플래시 메모리를 탑재하고 있으며, 최대 순차 읽기 속도는 550MB/s, 최대 순차 쓰기 속도는 520MB/s입니다. 옵션인 광범위 온도 버전은 -40~85℃ 환경에서 작동을 지원합니다. CFX730은 20GB~320GB 용량으로 제공되고, CFX610은 64GB~1TB 용량으로 제공됩니다. CFX730은 SLCM을 지원합니다.

28일 본 홈페이지 소식에 따르면, 대만 매체 DIGITIMES에 따르면 양쯔메모리는 중국 플래시 메모리 시장 서밋 CFMS2024에서 3세대 Xtacking 기술을 적용한 X3-6070QLC 플래시 메모리가 4,000배의 P/E 내구성을 달성했다고 밝혔다. . 이 사이트의 참고 사항: 보증 수명과 달리 소비자급 정품 TLC 솔리드 스테이트 드라이브는 일반적으로 테스트에서 최소 3,000 P/E 수준 지우기 및 쓰기 수명을 갖습니다. ▲이미지 출처 China Flash Memory Market Summit CFMS 관계자(이하 Huo Zongliang)는 NAND 플래시 메모리 산업이 2023년 가장 어려운 해를 지나고 올해 상승기에 진입할 것으로 예상된다고 말했습니다. 전체 플래시 메모리 수요는 2023년부터 2027년까지 복합 비율로 증가할 것입니다. 비율은 21%에 달할 수 있으며 단일 장치의 평균 용량은

3월 6일 본 사이트의 소식에 따르면, 소니(중국)는 오늘 고성능, 대용량 TOUGH 3중 사양 G 시리즈 CFexpress Type B 메모리 카드 CEB-G480T 및 CEB-G240T를 출시했습니다. 두 가지 새로운 메모리 카드의 저장 용량은 각각 480GB와 240GB이며, 둘 다 최대 읽기 속도는 1850MB/s, 최대 쓰기 속도는 각각 1750MB/s와 1600MB/s를 지원합니다. TOUGH 3중 사양으로 내굴곡성, 내낙하성이 우수합니다. 낙하 저항은 5배, 굽힘 강도는 3배 향상되었습니다. 동시에 Sony CEB-G480T 및 CEB-G240T 메모리 카드는 내한성, 내열성, X선 저항성, 정전기 방지 및 자외선 저항성을 갖추고 있습니다. 소니 CEB-G4

1월 31일 뉴스에 따르면 Lexar는 Huawei Honor 휴대폰 및 태블릿에 적합한 512GB NM 메모리 카드(NMCARD) Year of the Dragon 한정판을 출시했으며 사전 판매 가격은 399위안입니다. 새로운 메모리 카드는 ITMA+ITM 이중 특허 인증을 받았으며 다양한 모델에 적합한 것으로 이해됩니다. 예를 들어 Huawei Mate 시리즈, nova 시리즈, Huawei MatePad, Honor X10 등을 포함한 대부분의 Huawei 및 Honor 휴대폰 및 태블릿이 해당됩니다. 또한 이 메모리 카드는 읽기 속도 90MB/s, 쓰기 속도 85MB/s를 제공할 수 있으며, 원활한 4K60fps 동영상 촬영을 지원하고, 교체만 하고 수리는 하지 않는 3년 제한 보증을 제공합니다. 구매링크: JD.com (399위안)

최근 화웨이는 데이터 저장 분야에 혁명적인 변화를 가져올 수 있는 혁신적인 '자기전기' 저장 기술을 적극적으로 연구하고 있다고 발표했습니다. 보도에 따르면 화웨이가 개발한 '자기 전자기 디스크'(MED)라는 새로운 저장 기술이 획기적인 진전을 이루었습니다. 이 기술은 속도, 에너지 효율성, 용량 등 주요 지표에서 상당한 개선을 이루었습니다. MED 기술은 현재 시중에 나와 있는 SSD 등 기타 저장장치에 비해 읽기 및 쓰기 속도가 빨라 데이터 처리 효율성이 크게 향상될 것으로 기대된다. 에너지 소비 측면에서 화웨이의 새로운 '자기전기' 저장 기술도 좋은 성능을 발휘합니다. 데이터 PB당 스토리지 전력 소비는 71W에 불과하며, 이는 기존 자기 하드 디스크 드라이브(HDD)보다 최대 90% 더 많은 에너지를 절약하는 것으로 알려져 있습니다. 이러한 기술 혁신은 데이터 센터와 대기업에 중요합니다.

3월 4일 이 사이트의 소식에 따르면 CFM 중국 플래시 메모리 시장 보고서에 따르면 국내 플래시 메모리 업체 테네리페는 최근 메모리 카드 TF2201 시리즈를 출시했다. 이 메모리 카드 시리즈는 CFexpressType-B 사양을 채택하고 최신 CFexpress4.0 버전 프로토콜을 지원합니다. 사양 측면에서 TF2201 메모리 카드 용량은 PCIeGen4x2 버스 및 NVMe1.4c 프로토콜을 사용하여 256GB ~ 4TB를 포괄합니다. 속도 면에서는 메모리 카드의 순차 읽기 속도가 3500MB/s, 순차 쓰기 속도가 2800MB/s입니다. 신뢰성 측면에서 MTTF 수명은 200만 시간입니다. Tenafly는 TF2201 메모리 카드의 쓰기 속도가 CFexpress2.0TypeB 사양 1보다 우수하다고 말했습니다.

11월 23일 본 홈페이지의 소식. 한국 언론 비즈니스코리아에 따르면, 시장 관계자는 중국 본토가 메모리 산업에 대한 지원을 늘리면서 지난 몇 년간 낸드 플래시 메모리 분야에서 큰 진전을 이루었다고 밝혔다. 삼성전자, SK하이닉스 등 글로벌 선두기업 간 기술격차가 2년으로 단축됐다. 업계 관계자는 “D램은 여전히 5년 이상의 기술 격차를 유지하고 있지만 낸드의 기술 장벽이 낮아 중국 업체들이 강력한 지원을 받으며 빠르게 따라잡으며 격차를 꾸준히 줄여나가고 있다”고 지적했다. 기업들은 아직 시장에서 경쟁력이 없고, 부족한 점도 있지만 따라잡는 속도는 분명히 빨라졌다”고 말했다. 보고서에는 양쯔메모리가 구체적으로 언급됐다. 회사는 2022년 플래시 메모리 서밋(FMS)에서 공식 발표했다.

16일 뉴스에 따르면 양쯔강저장(長江저장소) 자회사 지다오컴퍼니(Zhidao Company)는 소비자에게 더 많은 선택권을 제공하기 위해 12월 8일 4TB 대용량 SSD를 출시한다고 밝혔다. 이번에 출시되는 새 모델은 TiPlus7100이다. 이 모델은 기존 512GB, 1TB, 2TB 버전으로만 출시됐으며 가격은 각각 349위안, 499위안, 899위안이다. 편집자의 이해에 따르면 TiPlus7100은 고급 버퍼 프리 디자인을 채택하고 4채널 기술을 통해 뛰어난 성능을 구현합니다. SSD는 최대 7000MB/s 및 6000MB/s의 순차 읽기 및 쓰기 속도에 도달할 수 있으며, 4K 무작위 읽기 속도에서는 900kIOPS, 4K 무작위 쓰기 속도에서는 700kIOPS에 도달할 수 있습니다.
