解决SQL Server数据库占用内存过多的问题_MySQL
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经常看见有人问，MSSQL占用了太多的内存，而且还不断的增长;或者说已经设置了使用内存，可是它没有用到那么多，这是怎么一回事儿呢?
首先，我们来看看MSSQL是怎样使用内存的。
最大的开销一般是用于数据缓存，如果内存足够，它会把用过的数据和觉得你会用到的数据统统扔到内存中，直到内存不足的时候，才把命中率低的数据给清掉。所以一般我们在看statistics io的时候，看到的physics read都是0。
其次就是查询的开销，一般地说，hash join是会带来比较大的内存开销的，而merge join和nested loop的开销比较小，还有排序和中间表、游标也是会有比较大的开销的。
所以用于关联和排序的列上一般需要有索引。
再其次就是对执行计划、系统数据的存储，这些都是比较小的。
我们先来看数据缓存对性能的影响，如果系统中没有其它应用程序来争夺内存，数据缓存一般是越多越好，甚至有些时候我们会强行把一些数据pin在高速缓存中。但是如果有其它应用程序，虽然在需要的时候MSSQL会释放内存，但是线程切换、IO等待这些工作也是需要时间的，所以就会造成性能的降低。这样我们就必须设置MSSQL的最大内存使用。可以在SQL Server 属性(内存选项卡)中找到配置最大使用内存的地方，或者也可以使用sp_configure来完成。如果没有其它应用程序，那么就不要限制MSSQL对内存的使用。
然后来看查询的开销，这个开销显然是越低越好，因为我们不能从中得到好处，相反，使用了越多的内存多半意味着查询速度的降低。所以我们一般要避免中间表和游标的使用，在经常作关联和排序的列上建立索引。
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![Windows 입력 시 중단 또는 높은 메모리 사용량이 발생함 [수정]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
Windows 입력 시 중단 또는 높은 메모리 사용량이 발생함 [수정]
Feb 19, 2024 pm 10:48 PM
Windows 입력 환경은 다양한 휴먼 인터페이스 장치의 사용자 입력 처리를 담당하는 핵심 시스템 서비스입니다. 시스템이 시작되고 백그라운드에서 실행될 때 자동으로 시작됩니다. 그러나 때때로 이 서비스가 자동으로 중단되거나 너무 많은 메모리를 차지하여 시스템 성능이 저하될 수 있습니다. 따라서 시스템 효율성과 안정성을 보장하려면 이 프로세스를 적시에 모니터링하고 관리하는 것이 중요합니다. 이 문서에서는 Windows 입력 환경이 중단되거나 메모리 사용량이 높아지는 문제를 해결하는 방법을 공유합니다. Windows 입력 경험 서비스에는 사용자 인터페이스가 없지만 입력 장치와 관련된 기본적인 시스템 작업 및 기능을 처리하는 것과 밀접한 관련이 있습니다. 그 역할은 Windows 시스템이 사용자가 입력한 모든 입력을 이해하도록 돕는 것입니다.
컴퓨터에서 8g 메모리와 16g 메모리 사이에 큰 차이가 있나요? (컴퓨터 메모리 8g 또는 16g 선택)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
초보 사용자가 컴퓨터를 구입할 때 8g과 16g 컴퓨터 메모리의 차이점이 궁금할 것입니다. 8g 또는 16g을 선택해야 합니까? 이 문제에 대해 오늘 편집자가 자세히 설명해 드리겠습니다. 컴퓨터 메모리 8g과 16g 사이에 큰 차이가 있나요? 1. 일반 가족이나 일반 업무의 경우 8G 런닝 메모리가 요구 사항을 충족할 수 있으므로 사용 중에는 8g와 16g 사이에 큰 차이가 없습니다. 2. 게임 매니아가 사용하는 경우 현재 대규모 게임은 기본적으로 6g부터 시작하며, 8g가 최소 기준입니다. 현재 화면이 2k인 경우 해상도가 높아진다고 프레임 속도 성능이 높아지는 것은 아니므로 8g와 16g 사이에는 큰 차이가 없습니다. 3. 오디오 및 비디오 편집 사용자의 경우 8g와 16g 사이에는 분명한 차이가 있습니다.
삼성전자가 HBM4 메모리에 널리 사용될 것으로 예상되는 16단 하이브리드 본딩 적층 공정 기술 검증을 완료했다고 밝혔다.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
보고서에 따르면 삼성전자 김대우 상무는 2024년 한국마이크로전자패키징학회 연차총회에서 삼성전자가 16단 하이브리드 본딩 HBM 메모리 기술 검증을 완료할 것이라고 밝혔다. 해당 기술은 기술검증을 통과한 것으로 알려졌다. 보고서는 이번 기술 검증이 향후 몇 년간 메모리 시장 발전의 초석을 마련하게 될 것이라고 밝혔다. 김대우 사장은 삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 바탕으로 16단 적층 HBM3 메모리를 성공적으로 제조했다고 밝혔다. ▲이미지 출처 디일렉, 아래와 동일 하이브리드 본딩은 DRAM 메모리층 사이에 범프를 추가할 필요 없이 상하층 구리를 직접 연결하는 방식이다.
마이크론 : HBM 메모리는 웨이퍼 용량의 3배 소비, 생산능력은 기본적으로 내년으로 예약
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
21일 본 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 분기별 재무보고서를 발표한 뒤 컨퍼런스콜을 가졌다. 컨퍼런스에서 Micron CEO Sanjay Mehrotra는 기존 메모리에 비해 HBM이 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비한다고 말했습니다. 마이크론은 동일한 노드에서 동일한 용량을 생산할 때 현재 가장 발전된 HBM3E 메모리는 표준 DDR5보다 3배 더 많은 웨이퍼를 소비하며 성능이 향상되고 패키징 복잡성이 심화됨에 따라 향후 HBM4 이 비율은 더욱 높아질 것으로 예상된다고 밝혔습니다. . 이 사이트의 이전 보고서를 참조하면 이러한 높은 비율은 부분적으로 HBM의 낮은 수율 때문입니다. HBM 메모리는 다층 DRAM 메모리 TSV 연결로 적층됩니다. 한 층에 문제가 있다는 것은 전체가 의미합니다.
소식통에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 2026년 이후 적층형 모바일 메모리를 상용화할 것으로 보인다.
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
3일 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 에트뉴스는 어제(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM형' 적층구조 모바일 메모리 제품이 2026년 이후 상용화될 것이라고 보도했다. 소식통에 따르면 두 한국 메모리 거대 기업은 적층형 모바일 메모리를 미래 수익의 중요한 원천으로 여기고 'HBM형 메모리'를 스마트폰, 태블릿, 노트북으로 확장해 엔드사이드 AI에 전력을 공급할 계획이라고 전했다. 이 사이트의 이전 보도에 따르면 삼성전자 제품은 LPWide I/O 메모리라고 하며 SK하이닉스는 이 기술을 VFO라고 부른다. 두 회사는 팬아웃 패키징과 수직 채널을 결합하는 것과 거의 동일한 기술 경로를 사용했습니다. 삼성전자 LPWide I/O 메모리의 비트폭은 512이다.
