왕웬타오 상무부 장관, 퀄컴 안몬 CEO, 산자이 메로트라 마이크론 CEO와 만남
상무부 공식 소식에 따르면 왕원타오(Wang Wentao) 상무부 장관이 3월 23일 퀄컴의 안멍(An Meng) 사장 겸 CEO를 만났다. 양측은 중미 경제 및 무역 관계와 퀄컴의 중국 내 발전에 관해 심도 있는 교류를 가졌습니다.

왕웬타오는 개방성이 현대 중국의 독특한 상징이라고 강조했습니다. 중국 정부는 사업 환경을 최적화하고 외자 기업의 투자 및 운영에 대한 서비스 보장을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 중국은 새로운 생산력 개발을 가속화하고 있습니다. 인공 지능, 클라우드 컴퓨팅, 가전 제품 및 기타 산업은 비즈니스 기회와 활력으로 가득 차 있습니다. 우리는 Qualcomm을 포함한 글로벌 첨단 기술 기업이 중국에 대한 투자와 혁신 발전을 촉진하는 것을 환영합니다. 글로벌 첨단산업의 건전성과 안정성이 발전합니다.
안몬은 첨단산업은 모든 국가의 긴밀한 협력이 필요하다고 밝혔으며, 퀄컴은 미국과 중국 정부가 양측 기업의 투자와 운영에 대해 안정적인 기대와 좋은 환경을 조성해주기를 희망한다고 밝혔습니다.Qualcomm은 계속해서 중국 파트너와 혁신적인 협력을 이어갈 것입니다.

마이크론의 지속적인 활동을 환영합니다. 중국 시장을 깊이 탐구하고 중국 내 투자 프로젝트 실행을 가속화하고 , 중국 법률 및 규정을 엄격히 준수합니다.
Sanjay Mehrotra는 중국 법률과 규정을 엄격히 준수하겠다고 말하며 마이크론의 중국 사업과 신규 투자 프로젝트를 소개했으며,중국 고객의 요구에 부응하고 중국 반도체를 공급하기 위해 중국 투자를 확대할 계획 산업과 디지털 경제의 발전.
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30일 본 사이트 소식에 따르면 마이크론은 오늘(현지시간) 자사 9세대(사이트 참고: 276단) 3DTLC 낸드플래시 메모리를 양산해 출하한다고 밝혔다. 마이크론은 G9NAND의 I/O 전송률이 업계 최고 수준인 3.6GB/s(플래시 메모리 인터페이스 속도 3600MT/s)로 기존 경쟁 제품인 2400MT/s보다 50% 이상 향상됐다고 밝혔다. 데이터 집약적인 워크로드가 필요합니다. 동시에 Micron의 G9NAND는 쓰기 대역폭 및 읽기 대역폭 측면에서 각각 시중의 다른 솔루션보다 99% 및 88% 더 높습니다. 이러한 NAND 입자 수준의 이점은 솔리드 스테이트 드라이브 및 내장형 스토리지에 성능과 에너지 효율성을 제공합니다. 솔루션. 또한 이전 세대의 Micron NAND 플래시 메모리와 마찬가지로 Micron 276도

2월 15일, Bose는 2세대 Qualcomm® S5 오디오 플랫폼인 Bose Ultra 개방형 헤드폰을 기반으로 하는 오디오 웨어러블 장치의 출시를 발표했습니다. 신제품은 SnapdragonSound 기술을 지원하여 사용자에게 언제 어디서나 무손실 고화질 오디오 성능, 빠르고 안정적인 연결 경험 및 길어진 배터리 수명으로 오디오 향연을 제공합니다. Bose는 항상 사용자에게 최고의 고품질 오디오 경험을 제공해 왔습니다. 2세대 Qualcomm S5 오디오 플랫폼을 기반으로 하는 업계 최고의 SnapdragonSound 기술은 Qualcomm aptX® Lossless 오디오 및 aptXAdaptive 오디오 기술을 새로운 BoseUltra 오픈백 헤드폰에 제공합니다.

21일 본 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 분기별 재무보고서를 발표한 뒤 컨퍼런스콜을 가졌다. 컨퍼런스에서 Micron CEO Sanjay Mehrotra는 기존 메모리에 비해 HBM이 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비한다고 말했습니다. 마이크론은 동일한 노드에서 동일한 용량을 생산할 때 현재 가장 발전된 HBM3E 메모리는 표준 DDR5보다 3배 더 많은 웨이퍼를 소비하며 성능이 향상되고 패키징 복잡성이 심화됨에 따라 향후 HBM4 이 비율은 더욱 높아질 것으로 예상된다고 밝혔습니다. . 이 사이트의 이전 보고서를 참조하면 이러한 높은 비율은 부분적으로 HBM의 낮은 수율 때문입니다. HBM 메모리는 다층 DRAM 메모리 TSV 연결로 적층됩니다. 한 층에 문제가 있다는 것은 전체가 의미합니다.

7월 13일 뉴스에 따르면 최근 Qualcomm이 Transsion Holdings Group을 인도 델리 고등 법원에 고소하며, 트랜전 홀딩스 그룹이 자사의 비표준 필수 특허 중 4건을 침해했다고 비난했습니다. 트랜션은 퀄컴과 5G 표준 특허 라이선스 계약을 체결하고 이를 이행하고 있다고 답했다. Transsion은 자사의 판매 네트워크가 아프리카, 남아시아 등 신흥 시장의 70개국 이상을 포괄하고 있다고 밝혔습니다. 일부 국가에서는 일부 특허 보유자가 특허를 보유하지 않거나 소수만 보유하고 있습니다. 그러나 전 세계적으로 통일된 요율을 요구하고, 지역별 경제 발전 수준의 차이, 특정 지역이나 시장에서 특허가 없거나 소수의 특허만 보유하고 있다는 점을 고려하지 않은 과도한 라이센스 비용에 대한 호소가 필요합니다. , 기존 사례는 지역 및 기타 요인에 따라 다른 수수료를 제공합니다. 이러한 관행은 공정성, 합리성, 차별금지의 원칙을 완전히 준수하지 않습니다. 소리 전달

14일 뉴스에 따르면 최근 디지털 채팅방에서는 퀄컴 스냅드래곤 7Gen3의 세부 사양이 공개됐다. 이 칩은 TSMC의 4nm 공정을 사용하며 Snapdragon 7+Gen2와 유사한 1+3+4 아키텍처 설계가 특징입니다. CPU 부분은 1×2.63GHz+3×2.4GHz+4×1.8GHz로 구성되며, 메인 코어는 ArmCortex-A715이며 Adreno720GPU가 탑재되어 있습니다. 이에 비해 Qualcomm Snapdragon 7+Gen2의 CPU 구성은 1×2.91GHz+3×2.49GHz+4×1.8GHz이며 Adreno725 GPU가 탑재되어 있습니다. 편집자가 이해하는 한, 사양 비교에서 Qualcomm Snapdragon 7Gen3의 전반적인 성능은 올해 출시된 Snapdragon 7 Gen3만큼 좋지 않습니다.

18일 뉴스에 따르면 이날 오후 퀄컴은 스냅드래곤 8sGen3을 공식 출시했다. 스냅드래곤 8s는 중국어로 3세대 스냅드래곤 8s로 명명된다. 회의에서 Qualcomm은 Xiaomi Civi4 시리즈가 이 프로세서를 세계 최초로 선보일 것이라고 직접 발표했습니다. 3세대 Snapdragon 8s는 4nm 공정을 사용하는 3세대 Snapdragon 8과 완전히 동일한 기원에서 유래되었으며 CPU는 1×3.0GHz Cortex-X4+4×2.8GHz Cortex-A720+3×2.0입니다. GHz Cortex -A520, GPU는 Adreno735입니다. CPU는 3세대 스냅드래곤 8 아키텍처와 완전히 동일하고, GPU는 2세대 스냅드래곤 8과 동일한 모델이며 새로운 하드웨어 레이 트레이싱인 애드렌(Adren)을 지원한다.

퀄컴은 11월 17일 오후 대규모 기자간담회를 열고 새로운 모바일 프로세서인 스냅드래곤 7Gen3을 공식 출시했다. 공식 중국 이름은 "3세대 Snapdragon 7"이며 최신 8 시리즈 제품에 해당합니다. 차세대 Snapdragon 7 시리즈 칩의 제품 계획이 구체화되기 시작하여 중형 컵, 대형 컵, 초대형 등 다양한 모델을 포괄합니다. cup: Snapdragon 7s는 균형 잡힌 에너지 효율성에 중점을 두고 있으며, Snapdragon 7은 고급 경험 제공에 전념하고 있으며, Snapdragon 7+는 탁월한 성능을 추구합니다. 고급 TSMC 4nm 공정 기술을 사용하여 CPU는 주 주파수가 2.63GHz인 1개의 코어, 주 주파수가 2.40GHz인 3개의 코어, 주 주파수가 1.80GHz인 2개의 코어를 포함하여 4개의 대형 코어와 4개의 소형 코어로 설계되었습니다. 이전 세대 Snapdragon 7에 비해 성능이 향상되었습니다.

29일 본 사이트 소식에 따르면 마이크론은 2023년 말 IEEEIEDM 컨퍼런스에서 32Gb3DNVDRAM(비휘발성 DRAM) 연구개발 결과를 공개했다. 그러나 외신 블록스앤파일즈가 인터뷰한 업계 분석가 2명으로부터 입수한 정보에 따르면 이 획기적인 신형 메모리는 기본적으로 상용화 및 양산 가능성은 낮지만, 이것이 보여주는 기술적 진보는 향후 메모리 제품에서 나타날 것으로 예상된다. Micron의 NVDRAM 메모리는 강유전성 원리를 기반으로 합니다(이 사이트 참고: 자발적 분극이 있고 외부 전기장에서 분극 방향이 반전될 수 있음). DRAM과 유사한 비휘발성을 가지면서 DRAM에 가까운 고성능을 달성할 수 있습니다. NAND 플래시 메모리는 내구성이 뛰어나고 대기 시간이 짧습니다. 이 새로운 유형의 메모리는 이중 레이어 3D 스태킹을 사용하며 용량은 32Gb입니다.
