양쯔강 메모리 QLC 플래시 메모리 X3-6070은 쓰기 및 지우기 수명이 4,000회로 TLC 제품을 따라잡습니다.

3월 28일 본 사이트 소식에 따르면, 대만 매체 DIGITIMES에 따르면 양쯔메모리는 중국 플래시 메모리 시장 서밋 CFMS2024에서 3세대 Xtacking 기술을 적용한 X3-6070 QLC 플래시 메모리가 4,000번.

이 웹사이트의 참고 사항: 보증 수명과 달리 소비자급 정품 TLC 솔리드 스테이트 드라이브는 일반적으로 테스트에서 최소 3,000 P/E 수준 지우기 및 쓰기 수명을 갖습니다.

▲ 사진 출처 중국 플래시 메모리 시장 서밋 CFMS 공식, 이하 동일

양쯔 메모리 CTO Huo Zongliang은 NAND 플래시 메모리 업계가 이미 가장 어려운 해인 2023년을 지나고 올해 상승기에 돌입할 것이라고 말했습니다. 2023년부터 2027년까지 예상된다. 전체 플래시 메모리 수요의 복합 성장률은 21%에 달할 수 있으며, 단일 디바이스 평균 용량의 복합 성장률은 20%에 이른다.

이 상승 사이클에서 스토리지 시장이 직면한 세 가지 주요 과제는 Gb당 비용의 급격한 감소, 읽기 및 쓰기 성능 개선 가속화, 동일한 가격으로 더 높은 밀도를 기대하는 고객의 요구 사항 충족입니다. .

밀도 향상 측면에서 3D NAND의 적층 수 증가가 업계의 새로운 문제로 대두되고 있어 QLC NAND 적용을 촉진할 필요가 있습니다. 시장 전망에 따르면 QLC의 점유율은 2027년에는 40%를 넘어설 것으로 예상된다. 이는 지난해 13%보다 크게 높아진 수치다.

양쯔메모리는 3세대 Xtacking 기술을 적용한 X3-6070 QLC 플래시 메모리가 이전 세대 제품에 비해 IO 속도가 50% 더 빠르고, 저장 밀도가 70% 더 높으며, 삭제/쓰기 수명이 4000회라고 밝혔습니다. 이는 양쯔강 스토리지의 QLC 기술이 성숙하게 개발되어 기업급 스토리지, 모바일 단말기 및 기타 분야로 확장될 수 있음을 의미합니다. Yihengchuangyuan은 이번 서밋에서 장기 QLC 플래시 메모리를 기반으로 한 PBlaze7 7340 시리즈 데이터 센터급 솔리드 스테이트 드라이브를 시연했습니다.

기술적인 세부 사항 측면에서 CMOS 회로를 플래시 메모리 어레이에서 분리하는 Xtacking 구조의 설계는 작동 알고리즘에 더 큰 유연성을 제공하여 QLC의 신뢰성을 향상시킵니다. 또한 3세대 Xtacking 기술을 통해 보다 유연한 전압 변조가 가능하며 읽기 창 마진도 향상되었습니다.

또한 양쯔메모리는 PC41Q 소비자급 QLC SSD도 현장에서 시연했습니다. PC41Q는 5500MB/s의 순차 읽기 및 쓰기 대역폭을 갖추고 있습니다. Yangtze Memory는 이 솔리드 스테이트 드라이브의 데이터 보존 기능과 신뢰성이 TLC 솔리드 스테이트 드라이브와 비슷하여 1년의 데이터 보존과 200만 시간의 MTBF를 달성한다고 주장합니다. 30°C에서.

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