Micron은 전력 소비를 4% 절감하는 9.6Gbps LPDDR5X 메모리의 새 버전을 샘플링합니다.
4월 15일 이 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 최근 블로그를 통해 자사의 차세대 9.6Gbps(9600MHz) LPDDR5X 메모리가 이제 모바일 기기 제조업체에 샘플링되었다고 밝혔습니다. 이 메모리는 기존 메모리에 비해 전력 소비를 4% 절약할 수 있습니다. .
Micron은 이 새로운 메모리가 에너지 효율성을 더욱 향상시키는 동시에 AI 집약적 애플리케이션에 지속적인 고대역폭을 제공한다고 주장합니다.
Micron의 1세대 9.6Gbps LPDDR5X 메모리는 작년 10월에 샘플링되었으며 최대 용량은 16GB이며 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 플랫폼을 지원합니다. SK 하이닉스도 2023년에 동일한 속도의 LPDDR5T 메모리를 출시할 예정입니다. 194명을 넘지 않습니다.
2023년 분석기관 스타티스타(Statista)가 발표한 설문조사 보고서에 따르면 응답자의 71%가 다음번 스마트폰 구매 시 '배터리 수명'을 1차 고려사항으로 꼽았고, '내구성'과 '카메라'를 선택한 61%를 넘어섰다48 품질의 %.
이는 배터리 수명이 여전히 소비자의 가장 큰 문제점이자 휴대전화 제조업체가 개선해야 할 핵심 영역임을 보여줍니다. 휴대폰의 필수적인 부분인 에너지 절약형 메모리 시스템은 사용자의 사용 시간을 더욱 연장할 수 있습니다.
Micron의 9.6Gbps LPDDR5X 메모리 새 버전은 여전히 EUV 리소그래피를 도입하지 않은 1β(1베타) 노드를 기반으로 하며, 2세대 HKMG 기술과 향상된 JEDEC eDVFSC 기술을 사용하여 더욱 강력한 전력 소비 제어를 달성합니다. 전력 효율성.
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소식통에 따르면 SK하이닉스의 5단 적층 3D D램 메모리 수율은 56.1%에 달했다.
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
24일 본 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 비즈니스코리아는 SK하이닉스가 지난 6월 16일부터 20일까지 미국 하와이에서 열린 VLSI 2024 서밋에서 3D D램 기술에 관한 최신 연구 논문을 발표한 사실이 업계 관계자에 의해 밝혀졌다고 보도했다. 본 논문에서 SK하이닉스는 자사의 5단 적층 3D DRAM 메모리 수율이 56.1%에 달했으며, 실험에 사용된 3D DRAM은 현재의 2D DRAM과 유사한 특성을 나타냈다고 보고했습니다. 보도에 따르면 메모리 셀을 수평으로 배열하는 기존 D램과 달리 3D D램은 셀을 수직으로 쌓아 같은 공간에서 더 높은 밀도를 구현하는 방식이다. 하지만 SK하이닉스는
대용량 메모리 최적화, 컴퓨터가 16g/32g 메모리 속도로 업그레이드했는데 변화가 없다면 어떻게 해야 하나요?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
기계식 하드 드라이브나 SATA 솔리드 스테이트 드라이브의 경우 소프트웨어 실행 속도의 증가를 느낄 수 있지만 NVME 하드 드라이브라면 느끼지 못할 수도 있습니다. 1. 레지스트리를 데스크탑으로 가져와 새 텍스트 문서를 생성하고, 다음 내용을 복사하여 붙여넣은 후 1.reg로 저장한 후 마우스 오른쪽 버튼을 클릭하여 병합하고 컴퓨터를 다시 시작합니다. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Xiaomi Mi 14Pro의 메모리 사용량을 확인하는 방법은 무엇입니까?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
최근 샤오미는 스타일리시한 디자인은 물론 내부 및 외부 블랙 기술까지 갖춘 강력한 고급 스마트폰 샤오미 14Pro를 출시했다. 이 전화기는 최고의 성능과 뛰어난 멀티태스킹 기능을 갖추고 있어 사용자가 빠르고 원활한 휴대폰 경험을 즐길 수 있습니다. 하지만 성능은 메모리에 의해서도 영향을 받습니다. 많은 사용자들이 Xiaomi 14Pro의 메모리 사용량을 확인하는 방법을 알고 싶어하므로 한번 살펴보겠습니다. Xiaomi Mi 14Pro의 메모리 사용량을 확인하는 방법은 무엇입니까? Xiaomi 14Pro의 메모리 사용량을 확인하는 방법을 소개합니다. Xiaomi 14Pro 휴대폰의 [설정]에서 [애플리케이션 관리] 버튼을 엽니다. 설치된 모든 앱 목록을 보려면 목록을 탐색하고 보려는 앱을 찾은 다음 클릭하여 앱 세부 정보 페이지로 들어갑니다. 신청 세부정보 페이지에서
업계 최고 전송속도 3.6GB/s, 마이크론, 9세대 276단 TLC 낸드플래시 메모리 양산 발표
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
30일 본 사이트 소식에 따르면 마이크론은 오늘(현지시간) 자사 9세대(사이트 참고: 276단) 3DTLC 낸드플래시 메모리를 양산해 출하한다고 밝혔다. 마이크론은 G9NAND의 I/O 전송률이 업계 최고 수준인 3.6GB/s(플래시 메모리 인터페이스 속도 3600MT/s)로 기존 경쟁 제품인 2400MT/s보다 50% 이상 향상됐다고 밝혔다. 데이터 집약적인 워크로드가 필요합니다. 동시에 Micron의 G9NAND는 쓰기 대역폭 및 읽기 대역폭 측면에서 각각 시중의 다른 솔루션보다 99% 및 88% 더 높습니다. 이러한 NAND 입자 수준의 이점은 솔리드 스테이트 드라이브 및 내장형 스토리지에 성능과 에너지 효율성을 제공합니다. 솔루션. 또한 이전 세대의 Micron NAND 플래시 메모리와 마찬가지로 Micron 276도
소식통에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 2026년 이후 적층형 모바일 메모리를 상용화할 것으로 보인다.
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
3일 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 에트뉴스는 어제(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM형' 적층구조 모바일 메모리 제품이 2026년 이후 상용화될 것이라고 보도했다. 소식통에 따르면 두 한국 메모리 거대 기업은 적층형 모바일 메모리를 미래 수익의 중요한 원천으로 여기고 'HBM형 메모리'를 스마트폰, 태블릿, 노트북으로 확장해 엔드사이드 AI에 전력을 공급할 계획이라고 전했다. 이 사이트의 이전 보도에 따르면 삼성전자 제품은 LPWide I/O 메모리라고 하며 SK하이닉스는 이 기술을 VFO라고 부른다. 두 회사는 팬아웃 패키징과 수직 채널을 결합하는 것과 거의 동일한 기술 경로를 사용했습니다. 삼성전자 LPWide I/O 메모리의 비트폭은 512이다.
컴퓨터에서 8g 메모리와 16g 메모리 사이에 큰 차이가 있나요? (컴퓨터 메모리 8g 또는 16g 선택)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
초보 사용자가 컴퓨터를 구입할 때 8g과 16g 컴퓨터 메모리의 차이점이 궁금할 것입니다. 8g 또는 16g을 선택해야 합니까? 이 문제에 대해 오늘 편집자가 자세히 설명해 드리겠습니다. 컴퓨터 메모리 8g과 16g 사이에 큰 차이가 있나요? 1. 일반 가족이나 일반 업무의 경우 8G 런닝 메모리가 요구 사항을 충족할 수 있으므로 사용 중에는 8g와 16g 사이에 큰 차이가 없습니다. 2. 게임 매니아가 사용하는 경우 현재 대규모 게임은 기본적으로 6g부터 시작하며, 8g가 최소 기준입니다. 현재 화면이 2k인 경우 해상도가 높아진다고 프레임 속도 성능이 높아지는 것은 아니므로 8g와 16g 사이에는 큰 차이가 없습니다. 3. 오디오 및 비디오 편집 사용자의 경우 8g와 16g 사이에는 분명한 차이가 있습니다.
삼성전자가 HBM4 메모리에 널리 사용될 것으로 예상되는 16단 하이브리드 본딩 적층 공정 기술 검증을 완료했다고 밝혔다.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
보고서에 따르면 삼성전자 김대우 상무는 2024년 한국마이크로전자패키징학회 연차총회에서 삼성전자가 16단 하이브리드 본딩 HBM 메모리 기술 검증을 완료할 것이라고 밝혔다. 해당 기술은 기술검증을 통과한 것으로 알려졌다. 보고서는 이번 기술 검증이 향후 몇 년간 메모리 시장 발전의 초석을 마련하게 될 것이라고 밝혔다. 김대우 사장은 삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 바탕으로 16단 적층 HBM3 메모리를 성공적으로 제조했다고 밝혔다. ▲이미지 출처 디일렉, 아래와 동일 하이브리드 본딩은 DRAM 메모리층 사이에 범프를 추가할 필요 없이 상하층 구리를 직접 연결하는 방식이다.
마이크론 : HBM 메모리는 웨이퍼 용량의 3배 소비, 생산능력은 기본적으로 내년으로 예약
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
21일 본 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 분기별 재무보고서를 발표한 뒤 컨퍼런스콜을 가졌다. 컨퍼런스에서 Micron CEO Sanjay Mehrotra는 기존 메모리에 비해 HBM이 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비한다고 말했습니다. 마이크론은 동일한 노드에서 동일한 용량을 생산할 때 현재 가장 발전된 HBM3E 메모리는 표준 DDR5보다 3배 더 많은 웨이퍼를 소비하며 성능이 향상되고 패키징 복잡성이 심화됨에 따라 향후 HBM4 이 비율은 더욱 높아질 것으로 예상된다고 밝혔습니다. . 이 사이트의 이전 보고서를 참조하면 이러한 높은 비율은 부분적으로 HBM의 낮은 수율 때문입니다. HBM 메모리는 다층 DRAM 메모리 TSV 연결로 적층됩니다. 한 층에 문제가 있다는 것은 전체가 의미합니다.
