AI 물결의 영향은 분명합니다. TrendForce는 이번 분기에 DRAM 메모리 및 NAND 플래시 메모리 계약 가격 인상에 대한 예측을 수정했습니다.

TrendForce의 조사 보고서에 따르면 AI 물결은 DRAM 메모리와 NAND 플래시 메모리 시장에 상당한 영향을 미칩니다. 5월 7일 이 사이트의 뉴스에서 트렌드포스는 오늘 최신 연구 보고서에서 이번 분기에 두 가지 유형의 스토리지 제품에 대한 계약 가격 인상을 인상했다고 밝혔습니다.

구체적으로, TrendForce는 당초 2024년 2분기 DRAM 메모리 계약 가격이 3~8% 증가할 것으로 추정했는데, 현재는 13~18%로 추정하고 있습니다.

NAND 플래시 메모리의 경우 원래 추정치는 다음과 같습니다. 가격은 13~18% 오를 것으로 예상되며 신형은 15~20%로 추정되며, eMMC/UFS만 10%로 낮은 성장률을 보이고 있다.

▲ 사진 출처 트렌드포스 TrendForce

트렌드포스는 당초 2~3분기 연속 가격 인상 이후 D램 메모리와 낸드 플래시 메모리 수요측이 큰 가격을 받아들이지 않을 것으로 예상했다고 밝혔다. 증가합니다.

그런데 지난 4월 말, 대만 지진 이후 저장업체들이 1차 계약 가격 협상을 완료했는데, 인상 폭이 예상보다 컸습니다. 그 이유는 보유하고 있는 재고의 가격을 지지하려는 구매자의 의도에 더해, AI 열풍이 스토리지 업계의 수요와 공급 측면 모두에 심리적 변화를 가져왔다는 점에서 더 큰 영향을 미치기 때문입니다.

DRAM 시장에서 스토리지 제조업체들은 HBM 메모리 생산 능력의 증가로 인해 기존 메모리 공급이 더욱 밀려날 것을 우려하고 있습니다.

이 웹사이트의 이전 보고서에 따르면 Micron은 HBM3E 메모리의 웨이퍼 볼륨 소비가 기존 DDR5 메모리의 3배, 2024년 말까지 삼성전자 전체 1αnm 공정 DRAM 생산 능력의 약 60%가 HBM3E 메모리가 차지할 것이라고 보고서는 밝혔습니다.

평가 후 수요측면에서는 3분기부터 시작되는 HBM 메모리 생산량 증가로 인한 공급 긴장에 대처하기 위해 2분기 DRAM 메모리 사전 비축을 고려하는 쪽으로 방향이 바뀌었습니다.

NAND 플래시 메모리 제품의 경우 AI 추론 서버의 에너지 절약이 최우선 과제가 되었으며, 북미 클라우드 서비스 제공업체에서는 QLC 엔터프라이즈급 솔리드 스테이트 드라이브 채택을 확대하고 있습니다. 플래시 메모리 제품의 재고가 가속화되면서 일부 공급업체는 판매를 꺼려했습니다. 그러나 연구 보고서에서는 소비자 제품에 대한 수요 회복의 불확실성으로 인해 비HBM 메모리 생산 능력에 대한 스토리지 제조업체의 자본 지출이 여전히 보수적인 경향이 있다고 언급했으며, 특히 DRAM 플래시 메모리는 여전히 수준에 머물고 있습니다. 손익분기점.

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