RMAN深入解析之--内存中的RMAN
RMAN深入解析之--内存中的RMAN RMAN会在内存中创建一些缓冲区,然后通过这些缓冲区将数据块 写入到备份中。内存的利用与PGA(有时是SGA)的总体大小有关。 内存缓冲区分为输入缓冲区和输出缓冲区。输入缓冲区(input buffer)填充从备份文件中读取数据块;输出
RMAN深入解析之--内存中的RMAN
RMAN会在内存中创建一些缓冲区,然后通过这些缓冲区将数据块 写入到备份中。内存的利用与PGA(有时是SGA)的总体大小有关。
内存缓冲区分为输入缓冲区和输出缓冲区。输入缓冲区(input buffer)填充从备份文件中读取数据块;输出缓冲区(output buffer)则在执行内存对内存的写操作时填充需要备份的数据块,一旦输出缓冲区被填满,输出缓冲区的内容就会被写入到备份位置。
RMAN的内存利用
在磁盘上备份会使用PGA内存空间作为备份缓冲区,PGA内存空间从用于信道进程的内存空间中分配。如果操作系统没有配置本地异步I/O,则可以利用DBWR_IO_SLAVES参数使用I/O丛属来填充内存中的输入缓冲。如果设置DBWR_IO_SLAVES参数为任意的非零值,则RMAN会自动分配4个I/O从属来协调输入缓冲区中数据块加载。为了实现这一功能,RMAN必须利用一个共享内存区域。因此,用于磁盘备份的内存缓冲区会被推入共享池,如果存在大池,则被推入大池。如果没有使用磁带I/O从属,则会在PGA中分配用于磁带输出缓冲区的内存。
查看RMAN备份输入缓冲区的信息:
[oracle@rh6 ~]$ rman target / Recovery Manager: Release 11.2.0.1.0 - Production on Tue Jun 17 18:30:27 2014 Copyright (c) 1982, 2009, Oracle and/or its affiliates. All rights reserved. connected to target database: PROD (DBID=239333010) RMAN> backup database; Starting backup at 17-JUN-14 allocated channel: ORA_DISK_1 channel ORA_DISK_1: SID=43 device type=DISK channel ORA_DISK_1: starting full datafile backup set channel ORA_DISK_1: specifying datafile(s) in backup set input datafile file number=00001 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/system01.dbf input datafile file number=00002 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/sysaux01.dbf input datafile file number=00005 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/example01.dbf input datafile file number=00003 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/undotbs01.dbf input datafile file number=00004 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/users01.dbf channel ORA_DISK_1: starting piece 1 at 17-JUN-14 channel ORA_DISK_1: finished piece 1 at 17-JUN-14 piece handle=/u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/04pb386s_1_1 tag=TAG20140617T183051 comment=NONE channel ORA_DISK_1: backup set complete, elapsed time: 00:01:42 channel ORA_DISK_1: starting full datafile backup set channel ORA_DISK_1: specifying datafile(s) in backup set including current control file in backup set including current SPFILE in backup set channel ORA_DISK_1: starting piece 1 at 17-JUN-14 channel ORA_DISK_1: finished piece 1 at 17-JUN-14 piece handle=/u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/05pb38a3_1_1 tag=TAG20140617T183051 comment=NONE channel ORA_DISK_1: backup set complete, elapsed time: 00:00:01 Finished backup at 17-JUN-14 查看缓冲区信息: sql>select set_count,device_type,type,filename,buffer_size,buffer_count,open_time,close_time 2 from v$backup_async_io 3* order by set_count,type,open_time,close_time SET_COUNT DEVICE_TYP TYPE FILENAME BUFFER_SIZE BUFFER_COUNT OPEN_TIME CLOSE_TIM ---------- ---------- --------- ---------------------------------------- ----------- ------------ --------- --------- 4 DISK AGGREGATE 0 0 17-JUN-14 17-JUN-14 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/example01.d 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 bf 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/sysaux01.db 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 f 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/system01.db 524288 6 17-JUN-14 f 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/users01.dbf 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/undotbs01.d 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 bf 4 DISK OUTPUT /u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/ 1048576 4 17-JUN-14 04pb386s_1_1 7 rows selected. Elapsed: 00:00:00.02 18:32:19 SYS@ prod>

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Topik panas

Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan

Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Menurut berita dari laman web ini pada 6 Mei, Lexar melancarkan memori overclocking DDR57600CL36 siri Ares Wings of War Set 16GBx2 akan tersedia untuk pra-jualan pada 0:00 pada 7 Mei dengan deposit 50 yuan, dan harganya adalah. 1,299 yuan. Memori Lexar Wings of War menggunakan cip memori Hynix A-die, menyokong Intel XMP3.0 dan menyediakan dua pratetap overclocking berikut: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V Dari segi pelesapan haba, set memori ini dilengkapi dengan jaket pelesapan haba aluminium setebal 1.8mm dan dilengkapi dengan pad gris silikon konduktif haba eksklusif PMIC. Memori menggunakan 8 manik LED kecerahan tinggi dan menyokong 13 mod pencahayaan RGB.

Menurut berita dari tapak ini pada 7 Jun, GEIL melancarkan penyelesaian DDR5 terbaharunya di Pameran Komputer Antarabangsa Taipei 2024, dan menyediakan versi SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 dan LPCAMM2 untuk dipilih. ▲Sumber gambar: Wccftech Seperti yang ditunjukkan dalam gambar, memori CAMM2/LPCAMM2 yang dipamerkan oleh Jinbang menggunakan reka bentuk yang sangat padat, boleh memberikan kapasiti maksimum 128GB, dan kelajuan sehingga 8533MT/s malah sesetengah produk ini boleh stabil pada platform AMDAM5 Overclocked kepada 9000MT/s tanpa sebarang penyejukan tambahan. Menurut laporan, memori siri Polaris RGBDDR5 Jinbang 2024 boleh menyediakan sehingga 8400

Sesetengah pengguna mengalami gesaan ralat memori apabila menggunakan Win10, dipanggil "Memori tidak boleh ditulis". Di bawah, editor akan berkongsi dengan anda penyelesaian kepada gesaan sistem Windows 10 "Memori tidak boleh ditulis" 1. Tekan win+r untuk membuka fungsi run pada komputer, masukkan services dan msc, dan kemudian klik OK. 2. Cari perkhidmatan Instrumen Pengurusan Windows dalam tetingkap perkhidmatan, klik "Berhenti", dan kemudian klik OK. 3. Masih tekan win+r untuk membuka fungsi run komputer dan masuk
