MongoDB 内存使用
都说 MongoDB 是个内存大户,但是怎么知道它到底用了多少内存呢? 先 ps 一下看看。 $ ps aux|grep mongodmongo 26994 9.0 20.0 797264324 13243052 ? Sl May16 117:03 /path/to/mongodb/bin/mongod 总共 760G 多的虚拟内存,但是物理内存就只有 12.6G 。这
都说 MongoDB 是个内存大户,但是怎么知道它到底用了多少内存呢?
先 ps 一下看看。
$ ps aux|grep mongod mongo 26994 9.0 20.0 797264324 13243052 ? Sl May16 117:03 /path/to/mongodb/bin/mongod
总共 760G 多的虚拟内存,但是物理内存就只有 12.6G 。这个机器可是有 64G 内存的哦,这看起来 MongoDB 完全没用多少内存嘛。
再看看 free 的结果。
$ free -m total used free shared buffers cached Mem: 64544 64279 265 0 134 60413 -/+ buffers/cache: 3731 60813 Swap: 31999 0 31999
内存倒是占得差不多了,基本都是 cached ,也就是文件系统缓存。MongoDB 是通过 mmap 方式让操作系统来处理持久化和缓存的。每个数据文件都直接映射到某个虚拟内存地址。访问的时候如果这一页不在内存中,系统就会尝试把这一页加载进来。这些内存都是算进 cache 里的。在 mongodb 的官方文档里有这样一个说法,top 或 ps 里的 RSIZE 段显示的是机器的全部内存大小,因为 mongodb 会尽可能占用全部内存。但是事实上,这些缓存并没有算在里面。因此在 top 或 ps 中是看不出 MongoDB 的实际内存使用情况的。而 free 虽然可以看到系统的内存使用情况,但是没法确定这些内存里究竟有多少真的是 MongoDB 使用的。
还好有人做了 vmtouch 这个工具。可以检查文件在缓存中的情况,另外也可以把文件直接加载进缓存或者踢出去。只需要对 MongoDB 的所有数据文件检查一下缓存加载情况,就可以知道 MongoDB 到底缓存了多少数据了。
$ vmtouch -m4G /path/to/mongodb/data/ Files: 256 Directories: 3 Resident Pages: 15465901/100219772 58G/382G 15.4% Elapsed: 4.072 seconds
这里 -m4G 是 vmtouch 检查的文件大小限制。MongoDB 的数据文件比较大,通常会超过默认的 500M。这样看来,缓存用了 58G,这还差不多。Resident Pages 左侧的数字是页的数量,页的数量乘以文件系统页大小才是内存使用量。页的大小可以通过
getconf PAGESIZE
查看,通常是 4096,也就是 4KB。
MongoDB 在 NUMA 的机器上运行,并且内存被固定到一个 node 的时候,会有一个警告
WARNING: You are running on a NUMA machine. We suggest launching mongod like this to avoid performance problems: numactl –interleave=all mongod [other options]
也许是认为,这种情况下只能用上一个节点的内存。但 MongoDB 的缓存是由操作系统管理的。NUMA 似乎对此并没有影响。而内存不太小的时候 MongoDB 本身很难用掉一个节点的内存。这种情况下,是否开启 numactl –interleave=all 作用已经不大了。能做的也许只能是加内存,sharding,或者换 ssd 了。
原文地址:MongoDB 内存使用, 感谢原作者分享。

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Topik panas



Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Menurut berita dari laman web ini pada 23 Julai, Persatuan Teknologi Keadaan Pepejal JEDEC, penetap piawai mikroelektronik, mengumumkan pada waktu tempatan ke-22 bahawa spesifikasi teknikal memori DDR5MRDIMM dan LPDDR6CAMM akan dilancarkan secara rasmi tidak lama lagi, dan memperkenalkan butiran utama kedua-dua ini. kenangan. "MR" dalam DDR5MRDIMM bermaksud MultiplexedRank, yang bermaksud bahawa memori menyokong dua atau lebih Kedudukan dan boleh menggabungkan dan menghantar berbilang isyarat data pada satu saluran tanpa fizikal tambahan Sambungan boleh meningkatkan lebar jalur dengan berkesan. JEDEC telah merancang beberapa generasi memori DDR5MRDIMM, dengan matlamat akhirnya meningkatkan lebar jalurnya kepada 12.8Gbps, berbanding dengan 6.4Gbps memori DDR5RDIMM semasa.

Menurut berita dari laman web ini pada 12 Ogos, media Korea ETNews melaporkan bahawa Samsung Electronics secara dalaman telah mengesahkan rancangan pelaburannya untuk membina barisan pengeluaran memori DRAM 1cnm di kilang Pyeongtaek P4 yang disasarkan untuk beroperasi pada Jun depan tahun. Pyeongtaek P4 ialah pusat pengeluaran semikonduktor komprehensif yang dibahagikan kepada empat fasa. Dalam perancangan awal, fasa pertama adalah untuk memori kilat NAND, fasa kedua adalah untuk pengecoran logik, dan fasa ketiga dan keempat adalah untuk memori DRAM. Samsung telah memperkenalkan peralatan pengeluaran DRAM dalam fasa pertama P4, tetapi telah menangguhkan fasa kedua pembinaan. 1cnm DRAM ialah proses memori 20~10nm generasi keenam, dan setiap produk 1cnm (atau 1γnm) setiap syarikat masih belum dikeluarkan secara rasmi. Media Korea melaporkan bahawa Samsung Electronics merancang untuk memulakan pengeluaran memori 1cnm pada akhir tahun ini. ▲Samsung Pyeongtaek

Baru-baru ini, seorang blogger mendedahkan parameter siri iPhone 17 Siri ini akan dilengkapi dengan skrin LTPO sebagai standard, dan memori akan dinaik taraf sehingga 12GB. Siri iPhone17 akan merangkumi empat model: iPhone17, iPhone17Pro, iPhone17ProMax dan iPhone17Slim, dengan saiz skrin masing-masing 6.27 inci, 6.27 inci, 6.86 inci dan 6.65 inci. Semua model akan dilengkapi dengan panel LTPO dan menyokong kadar muat semula pembolehubah ProMotion Ini adalah kali pertama Apple menyediakan skrin kadar penyegaran tinggi pada model standard. Di samping itu, kedua-dua model Pro iPhone17Pro dan iPhone17ProMax akan datang standard dengan 1

Menurut berita dari laman web ini pada 26 Julai, Colorful mengumumkan pelancaran siri memori iGame "Jiachen Zhilong", yang boleh digunakan dengan papan siri terhad Year of the Dragon yang dilancarkan sebelum ini. Siri memori ini pada mulanya akan menyediakan set DDR5-6800 (CL34) 48GB (24G×2) yang menggunakan jaket penyejuk "Skala Naga" dan menyokong kesan pencahayaan RGB "Dragon Teng" yang memaparkan harga pada 1,399 yuan . Menurut laporan, reka bentuk penampilan siri ingatan ini menggunakan warna tradisional Cina "berangan kukus" dan "缾烼", dengan "Xiangyun" dan "Yufeng" di hadapan, dan totem "Jiachen Zhilong" di belakang. , dan juga menggunakan kelebihan emas sebagai keseluruhan Pengubahsuaian, dengan panduan cahaya berlapis yang melambangkan "peningkatan peningkatan". Siri memori ini menggunakan zarah pilihan kilang asal SK Hynix, dengan frekuensi utama sehingga 6800MT/s, dan menyokong X

Menurut berita dari laman web ini pada 16 Julai, Micron hari ini melancarkan memori DDR5 MRDIMM untuk senario AI dan HPC, yang hanya serasi dengan pemproses Intel Xeon 6. Micron kali ini melancarkan memori DDR5MRDIMM dalam lima kapasiti 32GB, 64GB, 96GB, 128GB dan 256GB, dengan kelajuan 8800MT/s, dan tersedia dalam dua bentuk fizikal: ketinggian standard dan TFF. Menurut laporan, berbanding dengan memori RDIMM tradisional, memori MRDIMM boleh mencapai: lebar jalur memori meningkat sehingga 39%, kecekapan bas meningkat lebih daripada 15%, kependaman meningkat sehingga 40%. mengeluarkan standard memori MRDIMM, dan produk di atas pada masa ini hanya Menyokong pemproses Intel Xeon 6. Selain Micron, Samsung juga membangunkan 8

Menurut berita dari laman web ini pada 14 Ogos, media Korea yang komprehensif "Seoul Economic Daily" (29hb bulan lepas) dan "Chosun Ilbo" (13hb bulan ini) melaporkan bahawa SK Hynix telah memesan peralatan utama daripada syarikat peralatan huluan dengan matlamat untuk menambah baik HBM kristal M16 dan kapasiti pengeluaran memori DRAM am bagi kilang bulat. Nota daripada laman web ini: Fab wafer M16 SK Hynix terletak di Icheon, Wilayah Gyeonggi, Korea Selatan Ia kini mempunyai kapasiti pengeluaran DRAM sebanyak lebih kurang 100,000 wafer 12 inci setiap bulan. ▲Dua laporan media Korea mengenai pengembangan khusus kampus Icheon SK Hynix sedikit berbeza: "Seoul Economic Daily" percaya bahawa ia adalah sekurang-kurangnya 70,000 wafer sebulan, dan juga menyebut 80,000 wafer sebulan "Chosun Ilbo" Ia dianggap sebagai menjadi 80,000 hingga 100,000 wafer sebulan. Agensi penganalisis Omdia sebelum ini menganggarkan pengeluaran memori DRAM SK Hynix

Laman web ini melaporkan pada 16 Ogos bahawa semua pengeluar utama pada dasarnya telah melancarkan memori CAMM2 mereka sendiri Sebagai contoh, MSI, ASRock, dan ASUS juga mengumumkan papan induk Intel khas yang menyokong memori CAMM2 di Taipei Computex pada bulan Jun. Apabila komputer meja mula menyokong memori CAMM2, MSI secara rasmi mengeluarkan video hari ini untuk memperkenalkan kelebihan platform ini. Berbanding dengan modul memori SO-DIMM tradisional, memori CAMM2 mempunyai jejak yang lebih pendek, yang membawa integriti isyarat yang lebih tinggi, kelajuan yang lebih pantas, kependaman yang lebih rendah dan reka bentuk yang lebih sejuk dan dikemas kini. Di samping itu, kelebihan CAMM2 ialah ia hanya perlu menggunakan satu PMIC (setiap modul dalam SO-DIMM mempunyai PMIC sendiri), dengan itu mencapai penggunaan kuasa dan penjanaan haba yang paling rendah
