Laman web ini melaporkan pada 3 Julai bahawa menurut media Korea The Elec, Samsung cuba menggunakan molibdenum (Mo) buat kali pertama dalam "pendawaian logam" V-NAND generasi ke-9nya.
Nota dari laman web ini: Lapan proses utama dalam proses pembuatan semikonduktor ialah:Samsung telah memperkenalkan lima mesin pemendapan Mo daripada Syarikat Penyelidikan Lam, dan merancang untuk memperkenalkan 20 lagi peralatan tahun depan.
Selain Samsung Electronics, syarikat seperti SK Hynix, Micron dan Kioxia juga sedang mempertimbangkan untuk menggunakan molibdenum. Tidak seperti tungsten heksafluorida (WF6) yang digunakan dalam proses NAND sedia ada, prekursor molibdenum (prekursor molibdenum) adalah pepejal dan mesti disublimasikan terus ke dalam keadaan gas pada suhu tinggi 600°C Proses ini memerlukan peralatan pemendapan yang berasingan.
Samsung melaporkan pada Mei tahun ini bahawa ia telah memulakan pengeluaran besar-besaran kumpulan pertama memori denyar V-NAND generasi kesembilan, dengan ketumpatan bit meningkat kira-kira 50% berbanding V-NAND generasi kelapan. V-NAND generasi kesembilan dilengkapi dengan antara muka denyar NAND generasi seterusnya "Togol 5.1", yang boleh meningkatkan kelajuan input/output data sebanyak 33%, sehingga 3.2 gigabit sesaat (Gbps). Selain antara muka baharu ini, Samsung juga merancang untuk mengukuhkan kedudukannya dalam pasaran SSD berprestasi tinggi dengan meluaskan sokongan untuk PCIe 5.0.Atas ialah kandungan terperinci Proses pengeluaran besar-besaran pendawaian logam V-NAND generasi ke-9 Samsung didedahkan untuk menggunakan teknologi molibdenum buat kali pertama. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!