Membuka jalan untuk pembuatan memori kilat NAND 1000 lapisan, Lam melancarkan generasi baharu teknologi etsa dielektrik suhu rendah Lam Cyro 3.0

Menurut berita dari laman web ini pada 1 Ogos, Lam Group Lam Research semalam mengumumkan pelancaran Lam Cyro 3.0, teknologi etsa dielektrik suhu rendah generasi ketiga untuk pembuatan memori kilat NAND 3D. "Lam Cryo 3.0 membuka jalan kepada pelanggan (kami) mencapai NAND 3D 1000 lapisan," kata Sesha Varadarajan, Naib Presiden Kanan Bahagian Produk Global Lam. Lam suhu rendah etch telah digunakan dalam pengeluaran 5 juta wafer, dan teknologi terkini kami merupakan satu kejayaan dalam pengeluaran NAND 3D. Ia boleh mencipta ciri grafik nisbah aspek tinggi (Nisbah Aspek Tinggi) dengan ketepatan tahap angstrom sambil mengurangkan kesan alam sekitar, dan kelajuan goresan adalah lebih daripada dua kali ganda proses dielektrik tradisional. Lam Cryo 3.0 ialah teknologi goresan yang pelanggan kami perlukan untuk mengatasi halangan pembuatan NAND yang kritikal dalam era AI. Dalam penghasilan NAND 3D sedia ada, lapisan sel memori disambungkan melalui vias menegak nipis yang panjang dari atas ke bawah peranti. Semasa proses pembinaan saluran, walaupun ralat tahap atom yang sedikit dalam ciri grafik dan kontur sasaran mungkin mempunyai kesan negatif terhadap prestasi elektrik produk storan baharu dan boleh menjejaskan hasil.

Lam Cryo 3.0 menggabungkan reaktor plasma tertutup bertenaga tinggi, suhu operasi jauh di bawah 0℃ dan bahan goresan kimia baharu, yang boleh menggores saluran dengan nisbah aspek sehingga 50:1 dan kedalaman 10μm , manakala sisihan dimensi kritikal Ciri dari atas ke bawah adalah kurang daripada 0.1%.

Selain itu, berbanding dengan proses dielektrik tradisional, kelajuan goresan teknologi Lam Cryo 3.0 adalah 2.5 kali ganda daripada sebelumnya, penggunaan tenaga dikurangkan sebanyak 40%, dan pelepasan dikurangkan sebanyak 90%.

Atas ialah kandungan terperinci Membuka jalan untuk pembuatan memori kilat NAND 1000 lapisan, Lam melancarkan generasi baharu teknologi etsa dielektrik suhu rendah Lam Cyro 3.0. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!