Peranti teknologi
industri IT
Dilaporkan bahawa SK Hynix telah memulakan pengembangan fabrik wafer M16, bertujuan untuk meningkatkan kapasiti pengeluaran memori DRAM syarikat sebanyak kira-kira 18%
Dilaporkan bahawa SK Hynix telah memulakan pengembangan fabrik wafer M16, bertujuan untuk meningkatkan kapasiti pengeluaran memori DRAM syarikat sebanyak kira-kira 18%
Menurut berita dari laman web ini pada 14 Ogos, media Korea komprehensif "Seoul Economic Daily" (29hb bulan lepas) dan "Chosun Ilbo" (13hb bulan ini) melaporkan bahawa SK Hynix telah memesan peralatan utama daripada syarikat peralatan huluan, bertujuan untuk meningkatkan Kapasiti memori HBM dan DRAM am M16 Fab. Nota daripada laman web ini: Fab wafer M16 SK Hynix terletak di Icheon, Wilayah Gyeonggi, Korea Selatan Ia kini mempunyai kapasiti pengeluaran DRAM sebanyak lebih kurang 100,000 wafer 12 inci setiap bulan.
▲ Dua laporan media Korea mengenai pembesaran khusus kampus Icheon SK Hynix sedikit berbeza: "Seoul Economic Daily" percaya bahawa ia adalah sekurang-kurangnya 70,000 wafer sebulan, dan juga menyebut 80,000 wafer sebulan "Chosun Ilbo"; percaya bahawa ia adalah 80,000 hingga 100,000 wafer sebulan.
Agensi penganalisis Omdia sebelum ini menganggarkan kapasiti pengeluaran memori DRAM SK Hynix akan mencecah 440,000 wafer sebulan pada suku ini, yang bersamaan dengan 18.2% daripada kapasiti pengeluaran keseluruhan berdasarkan kadar pengembangan bulanan sebanyak 80,000 wafer.
Tidak seperti Samsung, yang mempunyai banyak ruang kosong di kilang Pyeongtaek, satu-satunya cara untuk SK Hynix meningkatkan kapasiti pengeluaran DRAM sebelum penyiapan pengeluaran besar-besaran Cheongju M15X fab pada November 2025 adalah dengan menggunakan sepenuhnya baki ruang di kilang Icheon M16 dan M14 dan proses naik taraf.
The Seoul Economic Daily menyatakan bahawa SK Hynix menyasarkan untuk melengkapkan ujian makmal memori DRAM 1c nm generasi akan datang seawal bulan ini, melancarkan pengeluaran percubaan DRAM 1c nm pada suku kedua 2025, dan memulakan pemasangan peralatan yang sepadan di Kilang Cheongju M16 menjelang akhir tahun depan.
Atas ialah kandungan terperinci Dilaporkan bahawa SK Hynix telah memulakan pengembangan fabrik wafer M16, bertujuan untuk meningkatkan kapasiti pengeluaran memori DRAM syarikat sebanyak kira-kira 18%. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!
Alat AI Hot
Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik
AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.
Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma
Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI
Video Face Swap
Tukar muka dalam mana-mana video dengan mudah menggunakan alat tukar muka AI percuma kami!
Artikel Panas
Alat panas
Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma
SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan
Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa
Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual
SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)
Topik panas
1675
14
1429
52
1333
25
1278
29
1257
24
Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1%
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix
Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan
Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.
Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.
Memori yang dipasang tidak muncul pada Windows 11
Mar 10, 2024 am 09:31 AM
Jika anda telah memasang RAM baharu tetapi ia tidak dipaparkan pada komputer Windows anda, artikel ini akan membantu anda menyelesaikan isu tersebut. Biasanya, kami meningkatkan prestasi sistem dengan menaik taraf RAM. Walau bagaimanapun, prestasi sistem juga bergantung pada perkakasan lain seperti CPU, SSD, dll. Menaik taraf RAM juga boleh meningkatkan pengalaman permainan anda. Sesetengah pengguna menyedari bahawa memori yang dipasang tidak muncul dalam Windows 11/10. Jika ini berlaku kepada anda, anda boleh menggunakan nasihat yang diberikan di sini. RAM yang dipasang tidak muncul pada Windows 11 Jika RAM yang dipasang tidak muncul pada PC Windows 11/10 anda, cadangan berikut akan membantu anda. Adakah memori yang dipasang serasi dengan papan induk komputer anda? dalam BIO
Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
