利用ES6通过WeakMap解决内存泄漏问题(详细教程)
本篇文章主要介绍了详解ES6通过WeakMap解决内存泄漏问题,现在分享给大家,也给大家做个参考。
一、Map
1.定义
Map对象保存键值对,类似于数据结构字典;与传统上的对象只能用字符串当键不同,Map对象可以使用任意值当键。
2.语法
new Map([iterable])
属性
size:返回键值对的数量。
操作方法
set(key, value):设置(新增/更新)键key的值为value,返回Map对象。
get(key):读取键key的值,没有则返回undefined。
has(key):判断一个Map对象中是否存在某个键值对,返回true/false。
delete(key):删除某个键值对,返回true/false。
clear():清除Map对象中所有键值对。
遍历方法
keys():返回键名的Iterator对象。
values():返回键值的Iterator对象。
entries():返回键值对的Iterator对象。
forEach((value, key, map) => {}):遍历Map对象所有键值对。
3.示例
操作方法
let m = new Map([ ['foo', 11], ['bar', 22] ]); m.set('mazey', 322) .set('mazey', 413); console.log(m); // {"foo" => 11, "bar" => 22, "mazey" => 413} console.log(m.has('mazey')); // true m.delete('mazey'); console.log(m.has('mazey')); // false m.clear(); console.log(m); // {}
遍历方法
let m = new Map([ ['foo', 11], ['bar', 22], ['mazey', 413] ]); console.log(m); // {"foo" => 11, "bar" => 22, "mazey" => 413} console.log(m.keys()); // MapIterator {"foo", "bar", "mazey"} console.log(m.values()); // MapIterator {11, 22, 413} console.log(m.entries()); // MapIterator {"foo" => 11, "bar" => 22, "mazey" => 413} m.forEach((value, key, map) => { console.log("键:%s,值:%s", key, value); }); // 键:foo,值:11 // 键:bar,值:22 // 键:mazey,值:413
二、WeakMap
1.定义
WeakMap对象保存键值对,与Map不同的是其键必须是对象,因为键是弱引用,在键对象消失后自动释放内存。
2.语法
new WeakMap([iterable])
方法
set(key, value):设置(新增/更新)键key的值为value,返回WeakMap对象。
get(key):读取键key的值,没有则返回undefined。
has(key):判断一个WeakMap对象中是否存在某个键值对,返回true/false。
delete(key):删除某个键值对,返回true/false。
注意
因为WeakMap的特殊的垃圾回收机制,所以没有clear()方法。
3.示例
let obj = { foo: 11 }; let wm = new WeakMap(); wm.set(obj, 413322); console.log(wm); // {{…} => 413322} console.log(wm.has(obj)); // true
三、通过WeakMap解决内存泄漏问题
当使用Dom对象绑定事件时,Dom对象消失后若没有及时释放内存(置null),便会一直存在内存中。
使用WeakMap保存Dom对象不会出现这样的问题,因为Dom对象消失后,JS的垃圾回收机制便会自动释放其所占用的内存。
<button type="button" id="btn">按钮</button> <script> let wm = new WeakMap(); let btn = document.querySelector('#btn'); wm.set(btn, {count: 0}); btn.addEventListener('click', () => { let v = wm.get(btn); v.count++; console.log(wm.get(btn).count); }); // 1 2 3 4 5... </script>
上面是我整理给大家的,希望今后会对大家有帮助。
相关文章:
Atas ialah kandungan terperinci 利用ES6通过WeakMap解决内存泄漏问题(详细教程). Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Topik panas



Apabila teknologi telefon pintar terus berkembang, telefon bimbit memainkan peranan yang semakin penting dalam kehidupan seharian kita. Sebagai telefon perdana yang memfokuskan pada prestasi permainan, telefon Black Shark sangat digemari oleh pemain. Namun, kadangkala kita juga menghadapi situasi telefon Black Shark tidak boleh dihidupkan Pada masa ini, kita perlu mengambil beberapa langkah untuk menyelesaikan masalah ini. Seterusnya, izinkan kami berkongsi lima petua untuk mengajar anda cara menyelesaikan masalah telefon Black Shark tidak dihidupkan: Langkah 1: Periksa kuasa bateri Pertama, pastikan telefon Black Shark anda mempunyai kuasa yang mencukupi. Ia mungkin kerana bateri telefon telah habis

Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan

Dengan perkembangan media sosial yang berterusan, Xiaohongshu telah menjadi platform untuk lebih ramai golongan muda berkongsi kehidupan mereka dan menemui perkara yang indah. Ramai pengguna bermasalah dengan isu autosimpan semasa menyiarkan imej. Jadi, bagaimana untuk menyelesaikan masalah ini? 1. Bagaimana untuk menyelesaikan masalah menyimpan gambar secara automatik semasa menerbitkan di Xiaohongshu? 1. Kosongkan cache Pertama, kita boleh cuba mengosongkan data cache Xiaohongshu. Langkah-langkahnya adalah seperti berikut: (1) Buka Xiaohongshu dan klik butang "Saya" di sudut kanan bawah (2) Pada halaman tengah peribadi, cari "Tetapan" dan klik padanya (3) Tatal ke bawah dan cari "; Kosongkan Cache". Klik OK. Selepas mengosongkan cache, masukkan semula Xiaohongshu dan cuba siarkan gambar untuk melihat sama ada masalah penjimatan automatik telah diselesaikan. 2. Kemas kini versi Xiaohongshu untuk memastikan bahawa Xiaohongshu anda

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya

Menurut berita dari laman web ini pada 6 Mei, Lexar melancarkan memori overclocking DDR57600CL36 siri Ares Wings of War Set 16GBx2 akan tersedia untuk pra-jualan pada 0:00 pada 7 Mei dengan deposit 50 yuan, dan harganya adalah. 1,299 yuan. Memori Lexar Wings of War menggunakan cip memori Hynix A-die, menyokong Intel XMP3.0 dan menyediakan dua pratetap overclocking berikut: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V Dari segi pelesapan haba, set memori ini dilengkapi dengan jaket pelesapan haba aluminium setebal 1.8mm dan dilengkapi dengan pad gris silikon konduktif haba eksklusif PMIC. Memori menggunakan 8 manik LED kecerahan tinggi dan menyokong 13 mod pencahayaan RGB.
