golang如何释放map内存?
golang释放map内存的方法:首先删除map中的所有key,map占用内存仍处于【使用状态】;然后map置为nil,map占用的内存处于【空闲状态】;最后处于空闲状态内存,一定时间内在下次申请的可重复被使用,不必再向操作系统申请即可。
golang释放map内存的方法:
示例代码:
go version: 1.12.9
package main import ( "log" "runtime" ) var intMap map[int]int var cnt = 8192 func main() { printMemStats() initMap() runtime.GC() printMemStats() log.Println(len(intMap)) for i := 0; i < cnt; i++ { delete(intMap, i) } log.Println(len(intMap)) runtime.GC() printMemStats() intMap = nil runtime.GC() printMemStats() } func initMap() { intMap = make(map[int]int, cnt) for i := 0; i < cnt; i++ { intMap[i] = i } } func printMemStats() { var m runtime.MemStats runtime.ReadMemStats(&m) log.Printf("Alloc = %v TotalAlloc = %v Sys = %v NumGC = %v\n", m.Alloc/1024, m.TotalAlloc/1024, m.Sys/1024, m.NumGC) }
输出结果:
2019/11/22 15:42:33 Alloc = 138 TotalAlloc = 138 Sys = 68290 NumGC = 0 2019/11/22 15:42:33 Alloc = 456 TotalAlloc = 460 Sys = 68610 NumGC = 1 2019/11/22 15:42:33 8192 2019/11/22 15:42:33 0 2019/11/22 15:42:33 Alloc = 458 TotalAlloc = 464 Sys = 68674 NumGC = 2 2019/11/22 15:42:33 Alloc = 146 TotalAlloc = 466 Sys = 68674 NumGC = 3
字段说明:
Alloc
: 当前堆上对象占用的内存大小;TotalAlloc
:堆上总共分配出的内存大小;Sys
: 程序从操作系统总共申请的内存大小;NumGC
: 垃圾回收运行的次数。
从运行结果可以看出,map中的key被删除以后占用的内存并没有被释放掉。
结论:
golang的map在key被删除之后,并不会立即释放内存,所以随着程序的运行,实际上map占用的内存只会越来越大。此外,GC会在标记阶段访问map中的每一个元素,当map非常大时这会对程序性能带来非常大的开销。不过go 1.5版本之后,如果map的key和value中都不包含指针,那么GC会忽略这个map。
相关学习推荐:Go语言教程
Atas ialah kandungan terperinci golang如何释放map内存?. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

Video Face Swap
Tukar muka dalam mana-mana video dengan mudah menggunakan alat tukar muka AI percuma kami!

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Topik panas



Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Membaca dan menulis fail dengan selamat dalam Go adalah penting. Garis panduan termasuk: Menyemak kebenaran fail Menutup fail menggunakan tangguh Mengesahkan laluan fail Menggunakan tamat masa konteks Mengikuti garis panduan ini memastikan keselamatan data anda dan keteguhan aplikasi anda.

Menurut berita dari tapak ini pada 7 Jun, GEIL melancarkan penyelesaian DDR5 terbaharunya di Pameran Komputer Antarabangsa Taipei 2024, dan menyediakan versi SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 dan LPCAMM2 untuk dipilih. ▲Sumber gambar: Wccftech Seperti yang ditunjukkan dalam gambar, memori CAMM2/LPCAMM2 yang dipamerkan oleh Jinbang menggunakan reka bentuk yang sangat padat, boleh memberikan kapasiti maksimum 128GB, dan kelajuan sehingga 8533MT/s malah sesetengah produk ini boleh stabil pada platform AMDAM5 Overclocked kepada 9000MT/s tanpa sebarang penyejukan tambahan. Menurut laporan, memori siri Polaris RGBDDR5 Jinbang 2024 boleh menyediakan sehingga 8400

Menurut berita dari laman web ini pada 23 Julai, Persatuan Teknologi Keadaan Pepejal JEDEC, penetap piawai mikroelektronik, mengumumkan pada waktu tempatan ke-22 bahawa spesifikasi teknikal memori DDR5MRDIMM dan LPDDR6CAMM akan dilancarkan secara rasmi tidak lama lagi, dan memperkenalkan butiran utama kedua-dua ini. kenangan. "MR" dalam DDR5MRDIMM bermaksud MultiplexedRank, yang bermaksud bahawa memori menyokong dua atau lebih Kedudukan dan boleh menggabungkan dan menghantar berbilang isyarat data pada satu saluran tanpa fizikal tambahan Sambungan boleh meningkatkan lebar jalur dengan berkesan. JEDEC telah merancang beberapa generasi memori DDR5MRDIMM, dengan matlamat akhirnya meningkatkan lebar jalurnya kepada 12.8Gbps, berbanding dengan 6.4Gbps memori DDR5RDIMM semasa.

Apabila harga memori utama UHF seperti 7600MT/s dan 8000MT/s secara amnya tinggi, Lexar telah mengambil tindakan mereka telah melancarkan siri memori baharu yang dipanggil Ares Wings ARES RGB DDR5, dengan 7600 C36 dan 8000 C38 tersedia dalam dua spesifikasi. . Set 16GB*2 masing-masing berharga 1,299 yuan dan 1,499 yuan, yang sangat menjimatkan. Laman web ini telah memperoleh versi 8000 C38 Wings of War, dan akan membawakan kepada anda gambar-gambarnya yang membuka kotak. Pembungkusan memori Lexar Wings ARES RGB DDR5 direka dengan baik, menggunakan skema warna hitam dan merah yang menarik perhatian dengan cetakan berwarna-warni. Terdapat &quo eksklusif di sudut kiri atas pembungkusan.

Menurut berita dari laman web ini pada 12 Ogos, media Korea ETNews melaporkan bahawa Samsung Electronics secara dalaman telah mengesahkan rancangan pelaburannya untuk membina barisan pengeluaran memori DRAM 1cnm di kilang Pyeongtaek P4 yang disasarkan untuk beroperasi pada Jun depan tahun. Pyeongtaek P4 ialah pusat pengeluaran semikonduktor komprehensif yang dibahagikan kepada empat fasa. Dalam perancangan awal, fasa pertama adalah untuk memori kilat NAND, fasa kedua adalah untuk pengecoran logik, dan fasa ketiga dan keempat adalah untuk memori DRAM. Samsung telah memperkenalkan peralatan pengeluaran DRAM dalam fasa pertama P4, tetapi telah menangguhkan fasa kedua pembinaan. 1cnm DRAM ialah proses memori 20~10nm generasi keenam, dan setiap produk 1cnm (atau 1γnm) setiap syarikat masih belum dikeluarkan secara rasmi. Media Korea melaporkan bahawa Samsung Electronics merancang untuk memulakan pengeluaran memori 1cnm pada akhir tahun ini. ▲Samsung Pyeongtaek

Baru-baru ini, seorang blogger mendedahkan parameter siri iPhone 17 Siri ini akan dilengkapi dengan skrin LTPO sebagai standard, dan memori akan dinaik taraf sehingga 12GB. Siri iPhone17 akan merangkumi empat model: iPhone17, iPhone17Pro, iPhone17ProMax dan iPhone17Slim, dengan saiz skrin masing-masing 6.27 inci, 6.27 inci, 6.86 inci dan 6.65 inci. Semua model akan dilengkapi dengan panel LTPO dan menyokong kadar muat semula pembolehubah ProMotion Ini adalah kali pertama Apple menyediakan skrin kadar penyegaran tinggi pada model standard. Di samping itu, kedua-dua model Pro iPhone17Pro dan iPhone17ProMax akan datang standard dengan 1
