Menurut berita pada 18 Mei, Samsung mengumumkan hari ini bahawa mereka telah memulakan pengeluaran besar-besaran DDR5 menggunakan proses 12nm. Cip DRAM, ini merupakan perkembangan penting selepas Samsung pertama kali mengumumkan pembangunan DRAM DDR5 16Gb pada Disember tahun lalu.
Menurut kenyataan akhbar Samsung, cip DDR5 generasi baharu mempunyai pengurangan penggunaan kuasa sebanyak 23% berbanding generasi sebelumnya, dan produktiviti wafer telah meningkat sebanyak 20%. Cip generasi baharu adalah lebih cekap kuasa berbanding generasi sebelumnya, dan satu wafer boleh menghasilkan lebih banyak cip, sekaligus meningkatkan kecekapan pengeluaran.
DDR5 proses 12nm ini Cip DRAM mempunyai kelajuan maksimum 7.2Gbps, yang bersamaan dengan boleh memproses 60GB data sesaat. Menurut Maklumat Teknologi ITBEAR, ini membolehkan cip memenuhi keperluan pusat data, kecerdasan buatan dan aplikasi pengkomputeran yang sedang berkembang.
Samsung berkata bahawa 16Gb DDR5 Penggunaan kuasa DRAM yang rendah akan membolehkan pelayan dan pengendali pusat data mengurangkan penggunaan tenaga dan jejak karbon. Di samping itu, cip menggunakan jenis bahan high-k baharu, yang membolehkan cip membezakan dengan tepat perbezaan dalam isyarat data, sekali gus mencapai pembuatan nod 12nm.
Siri inovasi dan penemuan ini akan mengukuhkan lagi kedudukan utama Samsung dalam bidang cip memori. Samsung sudah pun mengeluarkan DDR5 secara besar-besaran menggunakan proses 12nm Satu langkah penting telah diambil dalam DRAM, menyediakan penyelesaian yang lebih dipercayai dan maju untuk kelajuan tinggi dan kecekapan pemprosesan data. Memandangkan permintaan pasaran untuk storan terus berkembang, DDR5 generasi baharu Samsung Cip DRAM akan memainkan peranan penting dalam pusat data dan pengkomputeran serta menyumbang kepada kemajuan industri.
Atas ialah kandungan terperinci Samsung mengeluarkan DRAM DDR5 12nm dengan penggunaan kuasa 23% lebih rendah untuk membantu menjimatkan tenaga. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!