Rumah Peranti teknologi industri IT SK Hynix mengeluarkan DRAM mudah alih 24GB: prestasi telefon pintar bertambah baik lagi

SK Hynix mengeluarkan DRAM mudah alih 24GB: prestasi telefon pintar bertambah baik lagi

Aug 17, 2023 pm 12:21 PM
gb sk hynix dram mudah alih

SK Hynix mengumumkan penemuan terbaru pada 11 Ogos, secara rasmi melancarkan produk pakej 24GB DRAM (memori) berprestasi tinggi LPDDR5X1 (Kadar Data Berganda Kuasa Rendah 5 eXtended) yang sesuai untuk peranti mudah alih seperti telefon pintar. Dikatakan bahawa produk ini akan membawa prestasi yang lebih berkuasa kepada peranti mudah alih

Menurut pemahaman editor, SK Hynix berjaya menghasilkan LPDDR5X pada November tahun lalu, dan melalui pembangunan teknologi selanjutnya, mereka melancarkan telefon bimbit berkapasiti 24GB pembungkusan dan pembekalan telah bermula. Langkah ini membawa peluang baharu kepada pengeluar telefon pintar, terutamanya dari segi multitasking dan aplikasi besar yang dijalankan

SK Hynix mengeluarkan DRAM mudah alih 24GB: prestasi telefon pintar bertambah baik lagi

Menurut orang dalam industri, OnePlus Ace 2 Pro yang dinanti-nantikan telah bekerjasama dengan pantas dengan kerjasama Reach. Baru-baru ini, Presiden OnePlus China Li Jie dan SK Hynix Greater China CTO bersama-sama mengumumkan bahawa telefon mudah alih ini akan menjadi telefon mudah alih pertama di dunia yang dilengkapi dengan storan 24GB. Pengeluaran besar-besaran ini menandakan kejayaan besar dalam teknologi, memberikan pengguna pengalaman berbilang tugas dan berprestasi tinggi yang lebih baik

SK Hynix mengeluarkan DRAM mudah alih 24GB: prestasi telefon pintar bertambah baik lagi

Kemajuan yang dicapai oleh SK Hynix dalam masa beberapa bulan sahaja sangat mengagumkan. Pada Januari tahun ini, mereka mengumumkan kejayaan pembangunan LPDDR5T (Kadar Data Berganda Kuasa Rendah 5 Turbo), salah satu DRAM mudah alih terpantas tersedia, berjalan 13% lebih pantas daripada produk sedia ada. Di samping itu, SK Hynix merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran produk proses halus generasi keempat (1a) 10-nanometer pada separuh kedua tahun ini, dan akan menggunakan "HKMG (High-K) metal Gate)" untuk meningkatkan lagi kelajuan memori sambil mengurangkan penggunaan kuasa.

Inovasi berterusan SK hynix dalam bidang DRAM mudah alih telah menyuntik tenaga baharu ke dalam peningkatan prestasi peranti mudah alih seperti telefon pintar. Dengan teknologi Dengan selanjutnya kemajuan, kami boleh menantikan untuk menyaksikan lebih banyak perkembangan yang menarik perhatian dalam masa terdekat

Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix mengeluarkan DRAM mudah alih 24GB: prestasi telefon pintar bertambah baik lagi. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan Laman Web ini
Kandungan artikel ini disumbangkan secara sukarela oleh netizen, dan hak cipta adalah milik pengarang asal. Laman web ini tidak memikul tanggungjawab undang-undang yang sepadan. Jika anda menemui sebarang kandungan yang disyaki plagiarisme atau pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress

Undresser.AI Undress

Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover

AI Clothes Remover

Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool

Undress AI Tool

Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io

Clothoff.io

Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator

AI Hentai Generator

Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

R.E.P.O. Kristal tenaga dijelaskan dan apa yang mereka lakukan (kristal kuning)
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O. Tetapan grafik terbaik
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O. Cara Memperbaiki Audio Jika anda tidak dapat mendengar sesiapa
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
WWE 2K25: Cara Membuka Segala -galanya Di Myrise
4 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌

Alat panas

Notepad++7.3.1

Notepad++7.3.1

Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina

SublimeText3 versi Cina

Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1

Hantar Studio 13.0.1

Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6

Dreamweaver CS6

Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac

SublimeText3 versi Mac

Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

1t memori sama dengan berapa GB? 1t memori sama dengan berapa GB? Feb 22, 2023 pm 04:55 PM

Memori 1t adalah sama dengan 1024GB. Memori 1t merujuk kepada kapasiti storan memori "1TB", dan 1TB bersamaan dengan 1024GB. Tetapi ini hanyalah nilai teori berdasarkan prinsip komputer Secara amnya, ruang storan yang tersedia yang dipaparkan oleh sistem akan menjadi kurang kerana definisi cakera keras pengeluar cakera adalah berbeza daripada algoritma komputer untuk kapasiti cakera keras. kapasiti pengenalan cakera keras dan nombor yang dipaparkan dalam sistem pengendalian mungkin berbeza-beza.

Berapa MB ialah 1g ingatan? Berapa MB ialah 1g ingatan? Mar 16, 2023 pm 04:19 PM

Memori 1g ialah 1024MB. g bermaksud "GB", yang bermaksud "gigabait" dalam bahasa Cina, dan MB merujuk kepada "megabait" GB dan MB kedua-duanya biasanya digunakan untuk menunjukkan kapasiti penyimpanan cakera keras komputer, memori dan media storan lain dengan kapasiti yang lebih besar kadar penukaran antara GB dan MB adalah lebih kurang sama dengan 1000 (1024), iaitu, "1GB=1024MB".

Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Jun 24, 2024 pm 01:52 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix

Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

1g bersamaan dengan berapa banyak MB kapasiti memori 1g bersamaan dengan berapa banyak MB kapasiti memori Feb 03, 2023 pm 03:55 PM

1g bersamaan dengan kapasiti memori 1024MB. Nama penuh g ialah "GB", yang bermaksud "gigabait" dalam bahasa Cina Ia adalah unit perpuluhan ukuran maklumat dan sering digunakan untuk menunjukkan kapasiti storan pemacu keras komputer, memori dan media storan lain dengan kapasiti yang lebih besar. Kadar penukaran antara GB dan MB adalah lebih kurang sama dengan 1000 (1024), iaitu, "1GB = 1024MB".

Hynix ialah yang pertama menunjukkan memori kilat UFS 4.1: berdasarkan zarah V9 TLC NAND Hynix ialah yang pertama menunjukkan memori kilat UFS 4.1: berdasarkan zarah V9 TLC NAND Aug 09, 2024 pm 03:33 PM

Menurut berita pada 9 Ogos, di Sidang Kemuncak FMS2024, SK Hynix menunjukkan produk storan terbaharunya, termasuk memori kilat universal UFS4.1 yang belum mengeluarkan spesifikasi secara rasmi. Menurut laman web rasmi Persatuan Teknologi Keadaan Pepejal JEDEC, spesifikasi UFS terkini yang diumumkan pada masa ini ialah UFS4.0 pada Ogos 2022. Kelajuan antara muka teorinya adalah setinggi 46.4Gbps Dijangkakan bahawa UFS4.1 akan meningkatkan lagi penghantaran kadar. 1. Hynix menunjukkan produk memori denyar tujuan umum 512GB dan 1TBUFS4.1, berdasarkan memori denyar V91TbTLCNAND 321 lapisan. SK Hynix juga mempamerkan zarah 3.2GbpsV92TbQLC dan 3.6GbpsV9H1TbTLC. Hynix menunjukkan berasaskan V7

SK Hynix menerajui dalam menunjukkan memori kilat universal UFS 4.1, berdasarkan zarah V9 TLC NAND SK Hynix menerajui dalam menunjukkan memori kilat universal UFS 4.1, berdasarkan zarah V9 TLC NAND Aug 09, 2024 am 10:42 AM

Menurut berita dari laman web ini pada 9 Ogos, menurut kenyataan akhbar yang dikeluarkan oleh SK Hynix semalam waktu tempatan, syarikat itu menunjukkan satu siri produk storan baharu pada Sidang Kemuncak FMS2024, termasuk memori kilat universal USF4.1 yang masih belum dikeluarkan secara rasmi spesifikasi. Menurut laman web rasmi Persatuan Teknologi Negeri Pepejal JEDEC, spesifikasi UFS terkini yang diumumkan pada masa ini ialah UFS4.0 pada Ogos 2022. UFS4.0 menentukan kelajuan antara muka teori sehingga 46.4Gbps untuk setiap peranti, dan USF4.1 dijangka meningkatkan lagi kadar penghantaran. ▲Halaman spesifikasi JEDECUFS SK Hynix menunjukkan dua memori denyar guna umum UFS4.1 dengan kapasiti masing-masing 512GB dan 1TB, kedua-duanya berdasarkan memori denyar V91TbTLCNAND bertindan 321 lapisan.

Dilaporkan bahawa SK Hynix dan Samsung Electronics telah mengembangkan pengeluaran memori HBM dengan ketara pada tahun ini, tetapi kadar hasil semasa hanya 65% Dilaporkan bahawa SK Hynix dan Samsung Electronics telah mengembangkan pengeluaran memori HBM dengan ketara pada tahun ini, tetapi kadar hasil semasa hanya 65% Mar 05, 2024 pm 04:00 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 4 Mac, media Korea DealSite melaporkan bahawa SK Hynix dan Samsung Electronics akan mengembangkan pengeluaran memori HBM dengan ketara pada tahun ini. Walau bagaimanapun, memori HBM mempunyai masalah seperti hasil yang rendah, menjadikannya sukar untuk bersaing dengan permintaan yang berkaitan dengan pasaran AI. Sebagai komoditi hangat dalam pasaran semikonduktor AI, memori HBM menggunakan pembungkusan tahap wafer (WLP): wafer memori DRAM berbilang lapisan disambungkan ke wafer asas melalui TSV melalui lubang silikon Masalah dengan salah satu cara lapisan DRAM bahawa keseluruhan timbunan HBM memo. ▲Rajah struktur memori HBM. Sumber imej: SK Hynix mengambil produk tindanan 8 lapisan sebagai contoh Jika kadar hasil setiap tindanan ialah 90%, maka kadar hasil tindanan HBM keseluruhan hanyalah 43% dan lebih separuh daripada DRAM dibuang. . Dan apabila HBM sampai ke tingkat 12,

See all articles