Samsung merancang untuk memperkenalkan teknologi bekalan kuasa belakang BSPDN ke dalam proses 1.4nm pada 2027

Menurut ETNews, Jung Ki-tae Jung, ketua pegawai teknologi bahagian faundri Samsung Electronics, mengumumkan pada forum baru-baru ini bahawa mereka merancang untuk menggunakan teknologi BSPDN pada proses 1.4nm pada tahun 2027

Samsung Electronics mendedahkan kuasa bahagian belakangnya bekalan buat kali pertama ( Proses pembangunan BSPDN), teknologi inovatif yang diaplikasikan dalam semikonduktor termaju untuk mengeksploitasi sepenuhnya potensi ruang belakang wafer, masih belum dilaksanakan secara global

Walaupun industri semikonduktor tidak lagi menggunakan panjang pintu dan separuh nada logam digunakan untuk menamakan nod teknologi, tetapi tidak syak lagi bahawa semakin kecil nombor teknologi proses semasa, semakin maju ia

Dengan kemajuan laluan pengecutan proses semikonduktor, jarak antara litar di dalam. litar bersepadu semakin rapat dan semakin kecil, menyebabkan gangguan antara satu sama lain. Walau bagaimanapun, melalui teknologi BSPDN, kita boleh menggunakan bahagian belakang wafer untuk membina talian bekalan kuasa, dengan itu memisahkan litar dan ruang kuasa secara berkesan, mengatasi had ini

Source Pexels

Sebagai tambahan kepada Samsung Electronics, TSMC dan Intel, dsb. Syarikat itu juga sedang giat mencari kejayaan teknologi Pada masa yang sama, Tokyo Electronics (TEL) dan Kumpulan EV Austria (EVG) kini menyediakan peralatan pelaksanaan BSPDN

Teknologi terkini Intel dipanggil PowerVia, yang direka bentuk. untuk mengurangkan penggunaan kuasa, meningkatkan kecekapan dan prestasi. Dijangka pada separuh pertama tahun 2024, nod pertama Intel Intel 20A menggunakan teknologi PowerVia dan transistor gerbang keliling RibbonFET akan siap dan digunakan pada platform Arrow Lake dalam pengeluaran besar-besaran masa hadapan. Pada masa ini, teknologi itu sedang menjalani langkah pertama dalam fab

TSMC juga merancang untuk mengguna pakai teknologi serupa dalam proses sub-2nm dan merancang untuk mencapai matlamat menjelang 2026

Berdasarkan permintaan pasaran, sasaran teknologi BSPDN Samsung Electronics mungkin ditangguhkan untuk Digunakan pada proses 1.4nm pada tahun 2027

Menurut sumber berkaitan daripada Samsung Electronics, masa pengeluaran besar-besaran semikonduktor menggunakan teknologi bekalan kuasa bahagian belakang boleh dilaraskan mengikut jadual pelanggan. Samsung Electronics menyasarkan untuk menghasilkan secara besar-besaran proses 2nm menjelang 2025, lebih awal daripada proses 1.4nm. Pada masa ini, Samsung sedang menjalankan tinjauan permintaan pelanggan untuk menentukan aplikasi teknologi bekalan kuasa bahagian belakang

Baca maklumat berkaitan:

Intel telah melancarkan teknologi bekalan kuasa bahagian belakang PowerVia terkini, yang boleh mengurangkan penggunaan kuasa, meningkatkan kecekapan dan prestasi

Samsung akan Teknologi BSPDN digunakan pada cip 2nm, meningkatkan prestasi sebanyak 44% dan kecekapan sebanyak 30%

Artikel di laman web ini mengandungi pautan lompat luaran untuk menyampaikan lebih banyak maklumat dan menjimatkan masa pemilihan, tetapi hasilnya adalah untuk rujukan sahaja

Atas ialah kandungan terperinci Samsung merancang untuk memperkenalkan teknologi bekalan kuasa belakang BSPDN ke dalam proses 1.4nm pada 2027. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!