Menurut berita daripada pakar cip telefon bimbit @手机 Chipmaster, dilaporkan Nvidia telah berhubung dengan Samsung mengenai proses GAA 3nm. Jika semuanya berjalan lancar, pengeluaran besar-besaran dijangka bermula pada 2025
Perkakasan sebelum ini melaporkan bahawa kad grafik perdana Nvidia RTX 5090 generasi akan datang akan menggunakan proses 3nm dan dijangka dilancarkan pada penghujung tahun depan.
Kad grafik siri NVIDIA RTX 40 diberi nama kod Ada Lovelace, manakala kad grafik RTX generasi seterusnya diberi nama kod Blackwell, nombor transistornya akan melebihi 15 bilion, ketumpatan akan hampir 300 juta/mm², jam teras akan melebihi 3 Ghz, dan ketumpatan bas akan Mencapai 512 bit. Menurut berita yang dibocorkan oleh media asing Club 386 sebelum ini,
RTX 5090 berasaskan GB102 mengandungi 144 kumpulan unit SM iaitu 18432 CUDA (dengan andaian setiap kumpulan SM masih 128 CUDA), 12.5% lebih daripada RTX 4090, cache Tahap 2 96MB, padanan memori video GDDR7 (lebar 384bit), menyokong PCIe 5.0 x16. MSI sebelum ini menunjukkan reka bentuk pelesapan haba bagi kad grafik perdana NVIDIA RTX generasi akan datang di pameran komputer Taipei Computex
Seperti yang dapat dilihat dari gambar, MSI menggunakan
Dynamic Bimetallic Fin (Dynamic Bimetallic Fin), enam hingga- jenis paip haba kuprum tulen, sirip kuprum besar juga dibenamkan dalam sirip aluminium untuk meningkatkan lagi pelesapan haba, dan terdapat kepingan tembaga yang sepadan dalam kawasan memori video Ini menunjukkan bahawa kad grafik generasi akan datang akan direka bentuk untuk memfokus pada haba pelesapan.
Atas ialah kandungan terperinci Dilaporkan bahawa Nvidia telah menguji proses GAA 3nm Samsung dan akan mengeluarkannya secara besar-besaran sejurus 2025.. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!