Rumah Peranti teknologi industri IT Strategi pengeluar utama untuk mengurangkan pengeluaran dan melindungi harga adalah berkesan, dan harga kontrak Q4 cip memori DRAM/NAND adalah lebih baik daripada yang dijangkakan

Strategi pengeluar utama untuk mengurangkan pengeluaran dan melindungi harga adalah berkesan, dan harga kontrak Q4 cip memori DRAM/NAND adalah lebih baik daripada yang dijangkakan

Nov 29, 2023 pm 03:29 PM
Ingatan dram ingatan kilat cip ingatan nand ssd

Menurut berita dari laman web ini pada 29 November, walaupun jualan kebanyakan produk terminal semasa Double Eleven adalah tidak berubah, di bawah premis bahawa tiga pengeluar asal utama (Samsung, SK Hynix dan Micron) telah mengurangkan pengeluaran dan pengeluaran terkawal dengan ketara, harga spot cip memori telah meningkat Berterusan, antaranya NAND menyaksikan peningkatan yang lebih jelas disebabkan oleh kerugian yang serius.

Menurut media Taiwan "Business Times", strategi mengurangkan pengeluaran dan melindungi harga oleh pengeluar cip memori utama telah sangat berkesan Sebut harga kontrak Q4 adalah lebih baik daripada jangkaan pasaran, dengan DDR5 meningkat sebanyak 15-20%, DDR4 meningkat sebanyak 10-15%, dan DDR3 meningkat sebanyak 10%. Pada masa yang sama, peningkatan purata setiap syarikat NAND adalah sekurang-kurangnya 20-25%, dan peningkatannya jauh lebih tinggi.

Selain itu, Samsung telah memberikan sebut harga biasa untuk DRAM, tetapi telah menggantung sebut harga untuk NAND dan tidak menghantar sebarang barangan Sebut harga terkini masih dalam pemerhatian

大厂减产保价策略奏效,DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期
Sumber gambar Pexels

. Hasilnya, petikan terbaharu InSpectrum menunjukkan bahawa harga spot bagi memori 4Gb dan 8Gb DDR4 pada dasarnya kekal tidak berubah pada minggu lalu, tetapi harga pada bulan lalu telah meningkat sebanyak 3.03% dan 1.97%

Dari segi tempat NAND Flash, 256Gb sebut harga mingguan Pada asasnya sama, tetapi 512Gb TLC Flash meningkat sebanyak 4.12%, dan sebut harga bulanan masing-masing meningkat sebanyak 15.25% dan 27.78%.

Menurut ramalan penganalisis TrendForce, sebut harga DRAM dijangka meningkat sebanyak 3-8% pada suku keempat, manakala penurunan pada suku ketiga ialah 0-5%, sebut harga NAND dijangka meningkat sebanyak 8-13%; pada suku keempat. Jauh lebih tinggi daripada penurunan 5 hingga 10% pada suku ketiga

Pengilang modul storan mendedahkan bahawa pengeluar asal kini menggunakan "taktik kelewatan" untuk bekalan Flash (memori kilat) pada suku keempat. Pada asalnya (pengilang modul) cuba untuk memuktamadkan jumlah pada bulan September Terdapat tempahan untuk berjuta-juta unit, tetapi kilang asal telah keberatan untuk menghantar barang Walaupun bersedia untuk menghantar barang, kuantiti dan harga tidak dapat mencapai memuaskan sasaran. Walaupun permintaan pasaran akhir telah memasuki luar musim, pasaran spot Flash berada dalam keadaan istimewa iaitu hulu panas dan hiliran sejuk, mempercepatkan kenaikan keseluruhan harga pelbagai produk wafer Flash. Walaupun tertunggak inventori dalam pasaran saluran jangka pendek, pertumbuhan wafer NAND Flash berterusan tanpa henti Harga spot 512 Gb arus perdana telah meningkat sebanyak kira-kira 20% dalam sebulan, berada pada AS$2.6.

Menurut laporan, Samsung mengurangkan pengeluaran DRAM sebanyak 30% pada suku keempat, SK Hynix dan Micron mengurangkan pengeluaran sebanyak kira-kira 20%, dan pengeluar asal mengurangkan pengeluaran NAND dengan lebih tinggi lagi. Tiga pembekal utama dijangka akan terus mengurangkan pengeluaran sehingga pertengahan 2024, dan perbelanjaan modal serta output akan menumpukan pada aspek yang lebih menguntungkan seperti HBM dan DDR5

Pernyataan pengiklanan: Kandungan artikel ini mengandungi pautan luar (termasuk tetapi tidak terhad kepada hiperpautan, kod QR, kata laluan, dll.), bertujuan untuk memberikan lebih banyak maklumat dan menjimatkan masa pemeriksaan. Sila ambil perhatian bahawa semua artikel di laman web ini mengandungi kenyataan ini 🎜

Atas ialah kandungan terperinci Strategi pengeluar utama untuk mengurangkan pengeluaran dan melindungi harga adalah berkesan, dan harga kontrak Q4 cip memori DRAM/NAND adalah lebih baik daripada yang dijangkakan. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan Laman Web ini
Kandungan artikel ini disumbangkan secara sukarela oleh netizen, dan hak cipta adalah milik pengarang asal. Laman web ini tidak memikul tanggungjawab undang-undang yang sepadan. Jika anda menemui sebarang kandungan yang disyaki plagiarisme atau pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress

Undresser.AI Undress

Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover

AI Clothes Remover

Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool

Undress AI Tool

Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io

Clothoff.io

Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator

AI Hentai Generator

Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

R.E.P.O. Kristal tenaga dijelaskan dan apa yang mereka lakukan (kristal kuning)
1 bulan yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O. Tetapan grafik terbaik
1 bulan yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
Akan R.E.P.O. Ada Crossplay?
1 bulan yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌

Alat panas

Notepad++7.3.1

Notepad++7.3.1

Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina

SublimeText3 versi Cina

Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1

Hantar Studio 13.0.1

Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6

Dreamweaver CS6

Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac

SublimeText3 versi Mac

Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan? Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan? Jun 18, 2024 pm 06:51 PM

Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Jun 24, 2024 pm 01:52 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix

Kadar pemindahan tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s, Micron mengumumkan pengeluaran besar-besaran memori denyar TLC NAND 276 lapisan generasi kesembilan Kadar pemindahan tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s, Micron mengumumkan pengeluaran besar-besaran memori denyar TLC NAND 276 lapisan generasi kesembilan Jul 31, 2024 am 08:05 AM

Menurut berita dari laman web ini pada 30 Julai, Micron mengumumkan hari ini (waktu tempatan) bahawa memori kilat 3DTLC NAND generasi kesembilannya (nota tapak: 276 lapisan) akan dihasilkan secara besar-besaran dan dihantar. Micron berkata bahawa G9NANDnya mempunyai kadar pemindahan I/O tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s (iaitu kadar antara muka memori denyar 3600MT/s), iaitu 50% lebih tinggi daripada produk pesaing sedia ada iaitu 2400MT/s, dan boleh memenuhi dengan lebih baik keperluan beban kerja intensif data. Pada masa yang sama, G9NAND Micron adalah 99% dan 88% lebih tinggi daripada penyelesaian lain di pasaran dari segi lebar jalur tulis dan lebar jalur baca, kelebihan tahap zarah NAND ini akan membawa prestasi dan kecekapan tenaga kepada pemacu keadaan pepejal dan storan terbenam penyelesaian. Di samping itu, seperti memori denyar Micron NAND generasi sebelumnya, Micron 276

Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Lexar melancarkan kit memori Ares Wings of War DDR5 7600 16GB x2: Hynix A-die particles, 1,299 yuan Lexar melancarkan kit memori Ares Wings of War DDR5 7600 16GB x2: Hynix A-die particles, 1,299 yuan May 07, 2024 am 08:13 AM

Menurut berita dari laman web ini pada 6 Mei, Lexar melancarkan memori overclocking DDR57600CL36 siri Ares Wings of War Set 16GBx2 akan tersedia untuk pra-jualan pada 0:00 pada 7 Mei dengan deposit 50 yuan, dan harganya adalah. 1,299 yuan. Memori Lexar Wings of War menggunakan cip memori Hynix A-die, menyokong Intel XMP3.0 dan menyediakan dua pratetap overclocking berikut: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V Dari segi pelesapan haba, set memori ini dilengkapi dengan jaket pelesapan haba aluminium setebal 1.8mm dan dilengkapi dengan pad gris silikon konduktif haba eksklusif PMIC. Memori menggunakan 8 manik LED kecerahan tinggi dan menyokong 13 mod pencahayaan RGB.

Proses pengeluaran besar-besaran pendawaian logam V-NAND generasi ke-9 Samsung didedahkan untuk menggunakan teknologi molibdenum buat kali pertama Proses pengeluaran besar-besaran pendawaian logam V-NAND generasi ke-9 Samsung didedahkan untuk menggunakan teknologi molibdenum buat kali pertama Jul 03, 2024 pm 05:39 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 3 Julai, menurut media Korea TheElec, Samsung cuba menggunakan molibdenum (Mo) buat kali pertama dalam "pendawaian logam" (metalwiring) generasi ke-9 V-NANDnya. Nota dari tapak ini: Lapan proses utama dalam proses pembuatan semikonduktor ialah: pengoksidaan wafer fotolitografi etsa pemendapan logam pendawaian ujian pembungkusan proses pendawaian logam terutamanya menggunakan kaedah yang berbeza untuk menyambungkan berbilion komponen elektronik untuk membentuk semikonduktor yang berbeza (CPU , GPU, dsb. ), ia boleh dikatakan "menyuntik kehidupan ke dalam semikonduktor." Sumber mengatakan Samsung telah memperkenalkan lima mesin pemendapan Mo dari Lam Research, dan merancang untuk memperkenalkan 20 lagi peralatan tahun depan. Selain Samsung Electronics, syarikat seperti SK Hynix, Micron dan Kioxia juga

Hynix ialah yang pertama menunjukkan memori kilat UFS 4.1: berdasarkan zarah V9 TLC NAND Hynix ialah yang pertama menunjukkan memori kilat UFS 4.1: berdasarkan zarah V9 TLC NAND Aug 09, 2024 pm 03:33 PM

Menurut berita pada 9 Ogos, di Sidang Kemuncak FMS2024, SK Hynix menunjukkan produk storan terbaharunya, termasuk memori kilat universal UFS4.1 yang belum mengeluarkan spesifikasi secara rasmi. Menurut laman web rasmi Persatuan Teknologi Keadaan Pepejal JEDEC, spesifikasi UFS terkini yang diumumkan pada masa ini ialah UFS4.0 pada Ogos 2022. Kelajuan antara muka teorinya adalah setinggi 46.4Gbps Dijangkakan bahawa UFS4.1 akan meningkatkan lagi penghantaran kadar. 1. Hynix menunjukkan produk memori denyar tujuan umum 512GB dan 1TBUFS4.1, berdasarkan memori denyar V91TbTLCNAND 321 lapisan. SK Hynix juga mempamerkan zarah 3.2GbpsV92TbQLC dan 3.6GbpsV9H1TbTLC. Hynix menunjukkan berasaskan V7

Kingbang melancarkan memori DDR5 8600 baharu, tersedia dalam CAMM2, LPCAMM2 dan model biasa Kingbang melancarkan memori DDR5 8600 baharu, tersedia dalam CAMM2, LPCAMM2 dan model biasa Jun 08, 2024 pm 01:35 PM

Menurut berita dari tapak ini pada 7 Jun, GEIL melancarkan penyelesaian DDR5 terbaharunya di Pameran Komputer Antarabangsa Taipei 2024, dan menyediakan versi SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 dan LPCAMM2 untuk dipilih. ▲Sumber gambar: Wccftech Seperti yang ditunjukkan dalam gambar, memori CAMM2/LPCAMM2 yang dipamerkan oleh Jinbang menggunakan reka bentuk yang sangat padat, boleh memberikan kapasiti maksimum 128GB, dan kelajuan sehingga 8533MT/s malah sesetengah produk ini boleh stabil pada platform AMDAM5 Overclocked kepada 9000MT/s tanpa sebarang penyejukan tambahan. Menurut laporan, memori siri Polaris RGBDDR5 Jinbang 2024 boleh menyediakan sehingga 8400

See all articles