Projek pembungkusan, ujian dan pembuatan termaju peringkat wafer Storage Baiwei telah mendarat di Tasik Songshan, Dongguan, dan telah melancarkan memori kilat UFS 3.1

Menurut berita dari laman web ini pada 1 Disember, baru-baru ini, projek pembungkusan dan ujian termaju peringkat wafer Shenzhen Baiwei Storage Technology Co., Ltd. secara rasmi mendarat di Zon Pembangunan Perindustrian Berteknologi Tinggi Tasik Dongguan Songshan, dan majlis menandatangani telah berjaya diadakan di Bandar Dongguan.

Menurut laporan, pembungkusan dan ujian lanjutan peringkat wafer ialah proses pembuatan semikonduktor pertengahan antara pembuatan wafer hadapan dan ujian pembungkusan belakang, menggunakan fotolitografi, etsa, penyaduran elektrik, PVD, CVD, CMP, Strip, dsb. Proses pembuatan wafer hadapan untuk merealisasikan bumping, pendawaian semula (RDL), kipas-masuk (Kipas-masuk), kipas-keluar (Kipas-keluar), melalui silikon melalui (TSV) dan teknologi proses lain, bukan sahaja boleh The cip dibungkus secara langsung pada wafer, menjimatkan ruang fizikal Ia juga boleh menyepadukan berbilang cip pada wafer yang sama untuk mencapai penyepaduan yang lebih tinggi.

Baiwei Storage menyatakan bahawa pelaksanaan projek pembungkusan dan ujian lanjutan peringkat wafer akan membantu produk syarikat mencapai lebar jalur yang lebih besar, kelajuan yang lebih tinggi, integrasi heterogen yang lebih fleksibel dan penggunaan tenaga yang lebih rendah, memperkasakan elektronik pengguna mudah alih, Pelanggan mewah dalam bidang aplikasi seperti superkomputer, permainan, kecerdasan buatan dan Internet Perkara.

Baiwei Storage juga mendedahkan bahawa syarikat itu telah menguasai

16 Die berlamina, Die ultra-nipis 30~40μm, integrasi heterogen berbilang cip dan proses pembungkusan lanjutan lain, yang telah menyediakan inovasi dan volum berskala besar untuk cip NAND, DRAM dan produk pembungkusan SiP.

Shenzhen Baiwei Storage Technology Co., Ltd. telah ditubuhkan pada 2010, memfokuskan pada penyelidikan dan pembangunan, pembungkusan, ujian dan pembuatan cip memori. Syarikat itu telah diiktiraf sebagai perusahaan teknologi tinggi negara dan perusahaan gergasi kecil baharu yang istimewa, dan telah menerima pelaburan strategik daripada dana negara yang besar

Menurut laporan terdahulu di laman web ini, Baiwei telah melancarkan memori kilat berkelajuan tinggi UFS 3.1 , dengan kelajuan penulisan sehingga 1800MB/s, lebih daripada 4 kali ganda storan denyar kegunaan umum generasi sebelumnya,

kelajuan baca sehingga 2100MB/s, kapasiti sehingga 256GB (512GB, kapasiti 1TB akan dilancarkan dalam masa depan), saiz 11.5×13.0×1.0mm, digunakan untuk produk telefon pintar unggul.

Pernyataan Pengiklanan: Kandungan ini mengandungi pautan luar (termasuk tetapi tidak terhad kepada hiperpautan, kod QR, kata laluan, dll.), yang digunakan untuk memberikan lebih banyak maklumat dan menjimatkan masa pemeriksaan . Semua artikel di laman web ini mengandungi kenyataan ini

Atas ialah kandungan terperinci Projek pembungkusan, ujian dan pembuatan termaju peringkat wafer Storage Baiwei telah mendarat di Tasik Songshan, Dongguan, dan telah melancarkan memori kilat UFS 3.1. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!