Tutorial Perkakasan
Berita Perkakasan
SK Hynix: Memori CAMM akan memasuki pasaran komputer meja
SK Hynix: Memori CAMM akan memasuki pasaran komputer meja
Menurut berita dari laman web ini pada 15 Januari, SK Hynix mendedahkan bahawa standard memori CAMM baharu sedang merancang untuk memasuki medan desktop.
CAMM ialah standard memori baharu yang lebih kecil dan lebih padat daripada modul DRAM tradisional dan menyokong kapasiti yang lebih besar. Standard ini telah berkembang menjadi generasi kedua, LPCAMM2 untuk komputer riba dan PC nipis dan ringan. LP bermaksud Kuasa Rendah, dan modul sedia ada adalah berdasarkan piawaian LPDDR5 atau LPDDR5X, menawarkan kelajuan pemindahan sehingga 9.6 Gbps.
Di CES 2024, blogger ITSulssub melawat gerai SK Hynix Wakil syarikat mengesahkan bahawa piawaian CAMM akan memasuki platform desktop Produk CAMM platform desktop pertama juga sedang dibangunkan, tetapi belum ada butiran khusus yang didedahkan.
Pemberi maklumat HXL (@9550pro) juga mendapati bahawa siaran akhbar terbaru JEDEC mengenai standard memori CAMM2 menyebut bahawa CAMM2 akan menggunakan reka bentuk penyambung bersatu dan serasi dengan modul memori DDR5 dan LPDDR5/X berkuasa rendah. Platform sasaran standard CAMM yang disenaraikan oleh JEDEC termasuk komputer riba dan desktop arus perdana.
DDR5 dan LPDDR5/5X CAMM2 sesuai untuk senario aplikasi yang berbeza. DDR5 CAMM2 disasarkan pada komputer riba prestasi dan desktop arus perdana, manakala LPDDR5/5X CAMM2 disasarkan pada komputer riba yang lebih luas dan pasaran pelayan terpilih.
Perlu diingat bahawa walaupun JESD318 CAMM2 menentukan reka bentuk penyambung biasa untuk DDR5 dan LPDDR5/X, pinout kedua-duanya tidak sama. Untuk serasi dengan reka bentuk papan induk yang berbeza, DDR5 dan LPDDR5/X CAMM2 akan menggunakan kaedah pemasangan yang berbeza untuk mengelakkan kesilapan pemasangan.
Pengenalan memori CAMM akan membawa perubahan besar kepada reka bentuk papan induk. Papan induk arus perdana semasa menggunakan 2 atau 4 slot DIMM, dengan kapasiti sehingga 256GB tersedia menggunakan modul 64GB terkini. Untuk menyokong CAMM, keseluruhan ekosistem papan induk PC perlu direka bentuk semula, yang bukan sesuatu yang berlaku dalam sekelip mata.
Sama seperti pasaran buku nota, pada masa ini terdapat beberapa reka bentuk menggunakan LPCAMM, tetapi kebanyakan produk masih berpegang pada SO-DIMM tradisional atau susun atur memori onboard. Apabila teknologi CAMM semakin matang, pengeluar papan induk mungkin menguji perairan dan melancarkan sebilangan kecil papan induk CAMM untuk melihat reaksi pengguna. Pada masa yang sama, pengeluar memori juga perlu mereka bentuk penyelesaian baharu berdasarkan modul CAMM.
Setiap modul CAMM mempunyai penyambung di bahagian belakang yang dipalamkan ke dalam soket seperti CPU, overclocking memori berkelajuan tinggi, penalaan dan sokongan untuk profil overclocking ekosistem Intel XMP dan AMD EXPO juga telah direka bentuk semula. Secara keseluruhannya, CAMM akan mengambil sedikit masa untuk mendarat di pasaran desktop, tetapi apabila ia berlaku, ia akan menandakan satu inovasi besar dalam industri memori.
Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix: Memori CAMM akan memasuki pasaran komputer meja. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!
Alat AI Hot
Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik
AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.
Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma
Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI
AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.
Artikel Panas
Alat panas
Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma
SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan
Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa
Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual
SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)
Topik panas
1378
52
Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1%
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix
Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan
Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.
Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.
Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
Lexar melancarkan kit memori Ares Wings of War DDR5 7600 16GB x2: Hynix A-die particles, 1,299 yuan
May 07, 2024 am 08:13 AM
Menurut berita dari laman web ini pada 6 Mei, Lexar melancarkan memori overclocking DDR57600CL36 siri Ares Wings of War Set 16GBx2 akan tersedia untuk pra-jualan pada 0:00 pada 7 Mei dengan deposit 50 yuan, dan harganya adalah. 1,299 yuan. Memori Lexar Wings of War menggunakan cip memori Hynix A-die, menyokong Intel XMP3.0 dan menyediakan dua pratetap overclocking berikut: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V Dari segi pelesapan haba, set memori ini dilengkapi dengan jaket pelesapan haba aluminium setebal 1.8mm dan dilengkapi dengan pad gris silikon konduktif haba eksklusif PMIC. Memori menggunakan 8 manik LED kecerahan tinggi dan menyokong 13 mod pencahayaan RGB.
