SK Hynix menaik taraf kilang Wuxi untuk melancarkan produk DRAM generasi keempat

Berita dari laman web ini pada 16 Januari, menurut media Korea "Seoul Economic Daily", SK Hynix merancang untuk menyelesaikan transformasi kilang Wuxi C2 menjelang 2024, menukar dan menaik taraf kepada proses D-ram generasi keempat (1a) , proses mencapai tahap 10nm.

Kilang Wuxi ialah pangkalan pengeluaran teras SK hynix, menyumbang kira-kira 40% daripada jumlah pengeluaran D-RAMnya. Kilang itu pada masa ini menghasilkan D-RAM generasi kedua (1y) dan generasi ketiga (1z) pada tahap akhir 10 nanometer, yang tergolong dalam barisan produk lama.

Menurut berita, SK Hynix merancang untuk menyelesaikan sebahagian daripada proses D-RAM generasi keempat di kilang Wuxi, dan mengangkut wafer ke kampus Icheon di ibu pejabatnya di Korea Selatan, dan kemudian mengembalikannya ke Wuxi selepas kilang pemprosesan EUV.

Memandangkan hanya satu lapisan D-RAM bagi produk generasi keempat memerlukan pemprosesan EUV, syarikat itu jelas percaya bahawa peningkatan kos itu berbaloi.

Semasa kebakaran kilang Wuxi pada tahun 2013, syarikat itu mengatasi kesukaran gangguan pengeluaran D-RAM dan pengalaman yang kaya terkumpul.

Mengenai proses transformasi kilang Wuxi, SK Hynix menyatakan ia tidak dapat mengesahkan pelan operasi kilang khusus syarikat itu.

Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix menaik taraf kilang Wuxi untuk melancarkan produk DRAM generasi keempat. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!