添加skip-innodb后MySQL启动失败_MySQL
bitsCN.com
在小内存的VPS上，童鞋们（包括我）一般都爱做下所谓的“优化”，其中针对MySQL的优化中，有这样三个参数：
skip-innodb / skip-bdb / skip-locking
特别是第一个参数，据说打开后很省内存，所以我在安装完MySQL之后就在my.cnf中填上了这三个参数，但很不幸，在随后的service mysqld restart中，数据库启动失败。这还得了？！于是乎着急毛慌地请教Google去了，不过可悲的是在国内互联网“天下文章一大抄”的现状下，找个准确的、经过个人实践的答案相当不容易，我的问题最终也没解决。
后来想到去看看我的MySQL版本，一看是5.1.54，而且同时在my.cnf中发现一个skip-external-locking参数，在请教过Google后得知：skip-external-locking就是新版本的skip-locking，skip-locking是早几辈子的事了，而且在新版本的MySQL中，已经废除了skip-bdb这个参数！到这基本上问题就解开了，既然skip-locking都改了，那skip-innodb没准儿也改了！最终在MySQLd的文档中找到了这样一句话：
If InnoDB hasn’t been built，the option –skip-innodb isn’t available. We prefix with ‘loose’to allow the option to be used at all times. （详情点这里）
这就明白了，skip-innodb已经改成loose-skip-innodb了，我还傻乎乎地硬把几年前的老黄历往里塞，真是不假思索的照搬照抄啊，羞愧羞愧！！
bitsCN.com
Alat AI Hot
Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik
AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.
Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma
Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI
Video Face Swap
Tukar muka dalam mana-mana video dengan mudah menggunakan alat tukar muka AI percuma kami!
Artikel Panas
Alat panas
Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma
SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan
Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa
Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual
SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)
Topik panas
1392
52
Pencetak mempunyai memori yang tidak mencukupi dan tidak boleh mencetak halaman ralat Excel atau PowerPoint
Feb 19, 2024 pm 05:45 PM
Jika anda menghadapi masalah memori pencetak yang tidak mencukupi semasa mencetak lembaran kerja Excel atau persembahan PowerPoint, artikel ini mungkin membantu anda. Anda mungkin menerima mesej ralat serupa yang menyatakan bahawa pencetak tidak mempunyai memori yang mencukupi untuk mencetak halaman. Walau bagaimanapun, terdapat beberapa cadangan yang boleh anda ikuti untuk menyelesaikan masalah ini. Mengapakah memori pencetak tidak tersedia semasa mencetak? Memori pencetak yang tidak mencukupi boleh menyebabkan ralat memori tidak tersedia. Kadangkala ia disebabkan tetapan pemacu pencetak terlalu rendah, tetapi ia juga boleh disebabkan oleh sebab lain. Saiz fail besar Pemacu pencetak Lapuk atau rosak Gangguan daripada alat tambah yang dipasang Salah konfigurasi tetapan pencetak Isu ini juga mungkin berlaku kerana tetapan memori rendah pada pemacu pencetak Microsoft Windows. Membaiki percetakan
Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan
![Input Windows menemui hang atau penggunaan memori yang tinggi [Betulkan]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
Input Windows menemui hang atau penggunaan memori yang tinggi [Betulkan]
Feb 19, 2024 pm 10:48 PM
Pengalaman input Windows ialah perkhidmatan sistem utama yang bertanggungjawab untuk memproses input pengguna daripada pelbagai peranti antara muka manusia. Ia bermula secara automatik pada permulaan sistem dan berjalan di latar belakang. Walau bagaimanapun, kadangkala perkhidmatan ini mungkin secara automatik menggantung atau menduduki terlalu banyak memori, mengakibatkan prestasi sistem berkurangan. Oleh itu, adalah penting untuk memantau dan mengurus proses ini tepat pada masanya untuk memastikan kecekapan dan kestabilan sistem. Dalam artikel ini, kami akan berkongsi cara untuk membetulkan isu di mana pengalaman input Windows tergantung atau menyebabkan penggunaan memori yang tinggi. Perkhidmatan Pengalaman Input Windows tidak mempunyai antara muka pengguna, tetapi ia berkait rapat dengan pengendalian tugas dan fungsi sistem asas yang berkaitan dengan peranti input. Peranannya adalah untuk membantu sistem Windows memahami setiap input yang dimasukkan oleh pengguna.
Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512
Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.
Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
