STMicroelectronics mengumumkan kerjasama dengan Samsung untuk melancarkan proses FD-SOI 18nm untuk menyokong PCM terbenam

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, STMicroelectronics mengumumkan bahawa ia akan bersama-sama melancarkan proses FD-SOI 18nm dengan Samsung. Proses ini menyokong memori perubahan fasa terbenam (ePCM).

FD-SOI ialah singkatan daripada silikon yang habis sepenuhnya pada penebat Ia adalah teknologi proses semikonduktor satah yang mencapai kawalan arus kebocoran yang sangat baik melalui langkah pembuatan yang mudah.

Stmicroelectronics menyatakan bahawa berbanding dengan teknologi Envm 40nm yang kini digunakan, proses 18nm FD-SOI menggunakan EPCM telah meningkatkan parameter prestasi dengan ketara: ia telah meningkatkan kecekapan tenaga sebanyak 50% dan kepadatan digital telah dipertingkatkan sebanyak 3 kali ganda, boleh menampung memori pada cip yang lebih besar, dan mempunyai angka hingar yang lebih rendah. Pada 3V, proses ini boleh menyediakan pelbagai fungsi analog, seperti pengurusan kuasa dan sistem set semula Ini adalah satu-satunya teknologi di bawah proses 20nm untuk menyokong fungsi ini.

Pada masa yang sama, proses FD-SOI 18nm baharu juga mempunyai prestasi cemerlang dalam rintangan suhu tinggi dan rintangan sinaran, dan boleh digunakan dalam aplikasi industri yang menuntut.

MCU STM32 pertama STMicroelectronics berdasarkan proses ini akan mula mengambil sampel kepada pelanggan terpilih pada separuh kedua tahun ini, dan

merancang untuk pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua 2025

.

Atas ialah kandungan terperinci STMicroelectronics mengumumkan kerjasama dengan Samsung untuk melancarkan proses FD-SOI 18nm untuk menyokong PCM terbenam. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!