Samsung sedang membangunkan modul memori hibrid CMM-H: menyambung memori DRAM dan memori kilat NAND secara serentak melalui teknologi CXL

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, menurut taklimat China Flash Memory Market Summit 2024 yang dikeluarkan oleh akaun awam WeChat Samsung Semiconductor, ia sedang membangunkan modul CXL storan hibrid CMM-H. Modul ini mengandungi memori DRAM dan memori kilat NAND.

Nota dari tapak ini: Sebagai teknologi interkoneksi berkelajuan tinggi yang baharu, CXL boleh memberikan daya pemprosesan data yang lebih tinggi dan kependaman penghantaran yang lebih rendah, dan boleh mewujudkan sambungan yang cekap antara CPU dan peranti luaran.

Mengikut rajah yang disediakan oleh Samsung, modul ini boleh terus memindahkan blok I/O antara bahagian memori kilat dan CPU melalui antara muka CXL, dan juga boleh mencapai pemindahan I/O memori 64-bait melalui cache DRAM dan CXL antara muka.

Modul CMM-H membolehkan akses terperinci, TCO yang lebih rendah, dan juga kemungkinan pilihan memori berterusan.

Menurut pelan hala tuju yang dipaparkan oleh Samsung, ia merancang untuk menghasilkan prototaip produk CMM-H pada separuh pertama tahun ini. Prototaip ini akan dilengkapi dengan pengawal CXL 1.1 berasaskan FPGA dalam faktor bentuk E3.L 2T dengan kapasiti maksimum 4TB dan lebar jalur maksimum 8GB/s.

Melihat masa depan pengeluaran besar-besaran komersil modul CMM-H, pengawal berasaskan ASIC matangnya akan menyokong spesifikasi CXL 3.0, dengan kapasiti pilihan maksimum 16TB dan lebar jalur maksimum 64GB/s, yang akan tersedia dalam 2026.

Selain itu, dari segi modul storan CXL memori tulen CXL-D yang lebih tradisional, Samsung merancang untuk mencuba produk generasi kedua dengan kapasiti 128GB pada suku pertama tahun depan, yang menggunakan zarah DRAM proses 1b nm dan mempunyai kelajuan 6400MT/s.

Tahun depan Samsung juga akan memperkaya barisan produk modul CXL-D generasi kedua, dengan produk kapasiti 512GB dan 256GB untuk diikuti.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung sedang membangunkan modul memori hibrid CMM-H: menyambung memori DRAM dan memori kilat NAND secara serentak melalui teknologi CXL. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!