


TrendForce: Kapasiti pengeluaran DRAM Micron terjejas oleh gempa bumi Hualien di Taiwan, dan pengeluar memori telah berhenti memetik harga
Menurut laporan penyelidikan oleh TrendForce, gempa bumi berukuran 7.3 magnitud di perairan Hualien County, Taiwan mungkin memberi kesan kepada kapasiti pengeluaran memori DRAM Micron di Taiwan. Dikatakan bahawa kawasan ini adalah kawasan sebut harga penggantungan untuk banyak pengeluar asal memori hulu dan pengeluar modul hiliran. Selain itu, tahap dan tempoh kesan pada masa ini tidak jelas.
Laporan penyelidikan menunjukkan bahawa Micron telah menggunakan sejumlah besar kapasiti pengeluaran di Taiwan, dengan kilang di Linkou, New Taipei dan Taichung, mampu menghasilkan memori 1-beta yang paling maju. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, memori proses 1-gamma Micron pada masa hadapan juga akan dikeluarkan secara besar-besaran di Taiwan terlebih dahulu.

Micron mengeluarkan pengumuman pada 4hb, menunjukkan bahawa semua pekerja di Taiwan berada dalam keadaan selamat dan sedang menilai kesan gempa bumi terhadap operasi dan rantaian bekalan kepada pelanggan kepada komitmen penyampaian.
Menurut penyiasatan TrendForce, kilang Linkou Micron telah terjejas teruk akibat gempa bumi, dan mesin itu masih akan mengambil masa beberapa hari untuk menyambung semula operasi sepenuhnya.
Selain itu, pengeluar memori DRAM Taiwan Kilang Fab3A Nanya Technology di New Taipei City juga telah terjejas.
Laporan penyelidikan menunjukkan bahawa Micron menerajui dalam menghentikan sebut harga DRAM selepas gempa bumi, dan merancang untuk memulakan semula rundingan harga kontrak memori pada suku ini selepas penilaian kerosakan selesai.
Samsung Electronics dan SK Hynix, tiga pengeluar memori DRAM utama, telah berhenti membuat sebut harga pada masa yang sama walaupun kehilangan kapasiti pengeluaran DRAM, dan merancang untuk menunggu dan melihat arah aliran pasaran. Selain itu, pengeluar modul memori di Taiwan seperti ADATA turut membuat susulan dan berhenti memetik selepas mendengar berita tersebut.
Secara keseluruhan, pasaran memori DRAM semasa mempunyai permintaan spot dan spot lemah yang mencukupi Oleh itu, harga akan meningkat sedikit dalam jangka pendek, tetapi kemampanan kenaikan harga masih dapat dilihat.
Atas ialah kandungan terperinci TrendForce: Kapasiti pengeluaran DRAM Micron terjejas oleh gempa bumi Hualien di Taiwan, dan pengeluar memori telah berhenti memetik harga. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Topik panas



Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix

Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan

Menurut berita dari laman web ini pada 30 Julai, Micron mengumumkan hari ini (waktu tempatan) bahawa memori kilat 3DTLC NAND generasi kesembilannya (nota tapak: 276 lapisan) akan dihasilkan secara besar-besaran dan dihantar. Micron berkata bahawa G9NANDnya mempunyai kadar pemindahan I/O tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s (iaitu kadar antara muka memori denyar 3600MT/s), iaitu 50% lebih tinggi daripada produk pesaing sedia ada iaitu 2400MT/s, dan boleh memenuhi dengan lebih baik keperluan beban kerja intensif data. Pada masa yang sama, G9NAND Micron adalah 99% dan 88% lebih tinggi daripada penyelesaian lain di pasaran dari segi lebar jalur tulis dan lebar jalur baca, kelebihan tahap zarah NAND ini akan membawa prestasi dan kecekapan tenaga kepada pemacu keadaan pepejal dan storan terbenam penyelesaian. Di samping itu, seperti memori denyar Micron NAND generasi sebelumnya, Micron 276

Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
