Peranti teknologi
industri IT
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Menurut laporan, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang.
Dae Woo Kim menyatakan bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa dan teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. pada masa hadapan.
Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonggol antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada tembaga. Boleh meningkatkan kadar penghantaran isyarat dengan ketara, dan lebih sesuai untuk keperluan lebar jalur tinggi pengkomputeran AI.
Ikatan hibrid juga boleh mengurangkan jarak lapisan DRAM, dengan itu mengurangkan ketinggian keseluruhan modul HMB, tetapi ia juga menghadapi masalah kematangan yang tidak mencukupi dan kos aplikasi yang mahal.
Samsung Electronics mengamalkan strategi dua kaki dari segi teknologi ikatan memori HBM4, pada masa yang sama membangunkan ikatan hibrid dan proses TC-NCF tradisional.
Berdasarkan gambar di bawah dan laporan terdahulu di laman web ini, Had ketinggian modul HBM4 akan dilonggarkan kepada 775 mikron, yang kondusif untuk penggunaan berterusan TC-NCF.
Samsung sedang berusaha keras untuk mengurangkan jurang wafer proses TC-NCF, bertujuan untuk mengurangkan ketinggian ini kepada kurang daripada 7.0 mikron dalam HBM4.
Teknologi ini juga menghadapi keraguan. Dae Woo Kim membalas, mengatakan bahawa penyelesaian Samsung Electronics lebih sesuai untuk modul tindanan tinggi dengan 12 hingga 16 lapisan berbanding MR-RUF SK Hynix pesaing.
Atas ialah kandungan terperinci Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!
Alat AI Hot
Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik
AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.
Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma
Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI
AI Hentai Generator
Menjana ai hentai secara percuma.
Artikel Panas
Alat panas
Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma
SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan
Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa
Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual
SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)
Topik panas
1377
52
Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan
Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.
Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512
Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.
Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
Samsung Electronics mengulangi bahawa proses SF1.4 dijangka dihasilkan secara besar-besaran pada 2027 dan merancang untuk memasuki bidang optik pembungkusan bersama
Jun 13, 2024 pm 05:10 PM
Laman web ini melaporkan pada 13 Jun bahawa Samsung Electronics mengulangi di Samsung Foundry Forum 2024 Amerika Utara yang diadakan pada 12 Jun, waktu tempatan, bahawa proses SF1.4nya dijangka dihasilkan secara besar-besaran pada 2027, menentang khabar angin media sebelumnya. Samsung berkata persediaan proses 1.4nmnya berjalan lancar dan ia dijangka mencapai pencapaian pengeluaran besar-besaran dalam kedua-dua prestasi dan hasil pada 2027. Selain itu, Samsung Electronics sedang giat menyelidik teknologi proses logik termaju dalam era pasca-1.4nm melalui inovasi dalam bahan dan struktur untuk merealisasikan komitmen Samsung untuk terus melepasi Undang-undang Moore. Samsung Electronics pada masa yang sama mengesahkan bahawa ia masih merancang untuk mengeluarkan secara besar-besaran proses 3nm generasi kedua SF3 pada separuh kedua 2024. Dalam segmen transistor FinFET yang lebih tradisional, Samsung Electronics merancang untuk melancarkan S
Lexar melancarkan kit memori Ares Wings of War DDR5 7600 16GB x2: Hynix A-die particles, 1,299 yuan
May 07, 2024 am 08:13 AM
Menurut berita dari laman web ini pada 6 Mei, Lexar melancarkan memori overclocking DDR57600CL36 siri Ares Wings of War Set 16GBx2 akan tersedia untuk pra-jualan pada 0:00 pada 7 Mei dengan deposit 50 yuan, dan harganya adalah. 1,299 yuan. Memori Lexar Wings of War menggunakan cip memori Hynix A-die, menyokong Intel XMP3.0 dan menyediakan dua pratetap overclocking berikut: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V Dari segi pelesapan haba, set memori ini dilengkapi dengan jaket pelesapan haba aluminium setebal 1.8mm dan dilengkapi dengan pad gris silikon konduktif haba eksklusif PMIC. Memori menggunakan 8 manik LED kecerahan tinggi dan menyokong 13 mod pencahayaan RGB.
