SK Hynix dan Samsung Electronics dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran memori DRAM 1c nanometer dalam tahun ini

Menurut berita dari laman web ini pada 9 April, menurut media Korea Businesskorea, SK Hynix dan Samsung Electronics dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran memori DRAM 1c nanometer dalam tahun ini.

Selepas memasuki proses 20~10nm, generasi memori biasanya dipanggil dalam bentuk 1 + huruf 1c nm sepadan dengan ekspresi 1-gamma nm Micron dan merupakan generasi proses 10+ nm yang keenam. Samsung memanggil generasi sebelumnya 1b nm "kelas 12nm".

Samsung baru-baru ini menyatakan pada persidangan industri Memcon 2024 bahawa ia merancang untuk mencapai pengeluaran besar-besaran proses 1c nm menjelang akhir tahun ini

Baru-baru ini, sumber industri mendedahkan bahawa SK Hynix telah merancang secara dalaman pengeluaran besar-besaran dalam Pelan Hala Tuju suku ketiga untuk memori DRAM 1c nm.

SK Hynix merancang untuk menyediakan lebih awal dan membekalkan memori 1c nm kepada pelanggan utama seperti Microsoft dan Amazon sebaik sahaja ia lulus pengesahan industri.

Untuk Samsung Electronics dan SK Hynix, produk memori generasi akan datang mereka dijangka meningkatkan penggunaan litografi EUV, mengurangkan lebar talian, meningkatkan kelajuan sambil membawa kecekapan tenaga yang lebih baik

Rujuk laporan sebelumnya di laman web ini, Micron akan; dalam 1 -Gamma nano-node memperkenalkan teknologi EUV buat kali pertama dan dijangka akan dikeluarkan secara besar-besaran pada tahun 2025. Pengeluaran percubaan telah pun dijalankan.

Syarikat Taiwan Nanya sedang membangunkan produk memori DDR5 generasi pertamanya, yang dijangka akan dilancarkan tahun ini.

Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix dan Samsung Electronics dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran memori DRAM 1c nanometer dalam tahun ini. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!