Rumah Tutorial Perkakasan Berita Perkakasan Micron: Gempa bumi Taiwan dijangka mempunyai kesan peratusan pertengahan satu digit pada bekalan memori DRAM suku ini

Micron: Gempa bumi Taiwan dijangka mempunyai kesan peratusan pertengahan satu digit pada bekalan memori DRAM suku ini

Apr 12, 2024 pm 07:37 PM
Ingatan dram Mikron gempa bumi

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

Menurut berita dari laman web ini pada 12 April, Micron menyerahkan pengumuman perkara utama 8-K kepada Suruhanjaya Sekuriti dan Bursa (SEC) A.S. pada 10hb Dijangkakan bahawa gempa bumi di Taiwan pada awal ini bulan akan menyebabkan kerosakan "pertengahan digit tunggal" pada bekalan memori DRAMnya pada suku kedua impak .

Micron mempunyai dua pangkalan pengeluaran di Taoyuan dan Taichung di Taiwan. Menurut laporan sebelumnya oleh TrendForce, gempa bumi itu menyebabkan lebih daripada 60% wafer pada barisan pengeluaran Taoyuan dibatalkan pada masa itu.

Micron menyatakan dalam pengumuman bahawa semua pekerja Micron selamat dan sihat, kemudahan, infrastruktur dan alat pengeluaran tidak rosak secara kekal, dan

keupayaan bekalan memori DRAM jangka panjang tidak terjejas.

Sehingga masa pengumuman, Micron belum menyambung sepenuhnya pengeluaran DRAM selepas gempa bumi, tetapi terima kasih kepada pembinaan tahan gempa sebelum ini, pemulihan kilang sedang berjalan dengan baik

. Mengambil kira bahagian Micron dalam pasaran DRAM, laman web ini menganggarkan bahawa kesan gempa bumi pada output bit pada suku ini adalah kira-kira 1%, yang juga selaras dengan analisis TrendForce sebelum ini.

Atas ialah kandungan terperinci Micron: Gempa bumi Taiwan dijangka mempunyai kesan peratusan pertengahan satu digit pada bekalan memori DRAM suku ini. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan Laman Web ini
Kandungan artikel ini disumbangkan secara sukarela oleh netizen, dan hak cipta adalah milik pengarang asal. Laman web ini tidak memikul tanggungjawab undang-undang yang sepadan. Jika anda menemui sebarang kandungan yang disyaki plagiarisme atau pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn

Alat AI Hot

Undresser.AI Undress

Undresser.AI Undress

Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover

AI Clothes Remover

Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Undress AI Tool

Undress AI Tool

Gambar buka pakaian secara percuma

Clothoff.io

Clothoff.io

Penyingkiran pakaian AI

AI Hentai Generator

AI Hentai Generator

Menjana ai hentai secara percuma.

Artikel Panas

R.E.P.O. Kristal tenaga dijelaskan dan apa yang mereka lakukan (kristal kuning)
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O. Tetapan grafik terbaik
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
R.E.P.O. Cara Memperbaiki Audio Jika anda tidak dapat mendengar sesiapa
3 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌
WWE 2K25: Cara Membuka Segala -galanya Di Myrise
4 minggu yang lalu By 尊渡假赌尊渡假赌尊渡假赌

Alat panas

Notepad++7.3.1

Notepad++7.3.1

Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina

SublimeText3 versi Cina

Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1

Hantar Studio 13.0.1

Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6

Dreamweaver CS6

Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac

SublimeText3 versi Mac

Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan? Pengoptimuman memori yang besar, apakah yang perlu saya lakukan jika komputer menaik taraf kepada kelajuan memori 16g/32g dan tiada perubahan? Jun 18, 2024 pm 06:51 PM

Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Sumber mengatakan hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisan SK Hynix telah mencapai 56.1% Jun 24, 2024 pm 01:52 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 24 Jun, media Korea BusinessKorea melaporkan bahawa orang dalam industri mendedahkan bahawa SK Hynix menerbitkan kertas penyelidikan terkini mengenai teknologi DRAM 3D pada Sidang Kemuncak VLSI 2024 yang diadakan di Hawaii, Amerika Syarikat dari 16 hingga 20 Jun. Dalam kertas kerja ini, SK Hynix melaporkan bahawa hasil memori DRAM 3D bertindan lima lapisannya telah mencapai 56.1%, dan DRAM 3D dalam percubaan mempamerkan ciri yang serupa dengan DRAM 2D semasa. Menurut laporan, tidak seperti DRAM tradisional, yang menyusun sel memori secara mendatar, DRAM 3D menyusun sel secara menegak untuk mencapai ketumpatan yang lebih tinggi dalam ruang yang sama. Walau bagaimanapun, SK hynix

Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Mar 18, 2024 pm 02:19 PM

Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan

Kadar pemindahan tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s, Micron mengumumkan pengeluaran besar-besaran memori denyar TLC NAND 276 lapisan generasi kesembilan Kadar pemindahan tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s, Micron mengumumkan pengeluaran besar-besaran memori denyar TLC NAND 276 lapisan generasi kesembilan Jul 31, 2024 am 08:05 AM

Menurut berita dari laman web ini pada 30 Julai, Micron mengumumkan hari ini (waktu tempatan) bahawa memori kilat 3DTLC NAND generasi kesembilannya (nota tapak: 276 lapisan) akan dihasilkan secara besar-besaran dan dihantar. Micron berkata bahawa G9NANDnya mempunyai kadar pemindahan I/O tertinggi industri sebanyak 3.6GB/s (iaitu kadar antara muka memori denyar 3600MT/s), iaitu 50% lebih tinggi daripada produk pesaing sedia ada iaitu 2400MT/s, dan boleh memenuhi dengan lebih baik keperluan beban kerja intensif data. Pada masa yang sama, G9NAND Micron adalah 99% dan 88% lebih tinggi daripada penyelesaian lain di pasaran dari segi lebar jalur tulis dan lebar jalur baca, kelebihan tahap zarah NAND ini akan membawa prestasi dan kecekapan tenaga kepada pemacu keadaan pepejal dan storan terbenam penyelesaian. Di samping itu, seperti memori denyar Micron NAND generasi sebelumnya, Micron 276

Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer) Adakah terdapat perbezaan besar antara memori 8g dan 16g dalam komputer? (Pilih 8g atau 16g memori komputer) Mar 13, 2024 pm 06:10 PM

Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.

Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sumber mengatakan Samsung Electronics dan SK Hynix akan mengkomersialkan memori mudah alih bertindan selepas 2026 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4 Samsung mengumumkan penyiapan pengesahan teknologi proses penyusunan ikatan hibrid 16 lapisan, yang dijangka digunakan secara meluas dalam memori HBM4 Apr 07, 2024 pm 09:19 PM

Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.

Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan Micron: Memori HBM menggunakan 3 kali jumlah wafer, dan kapasiti pengeluaran pada dasarnya ditempah untuk tahun depan Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya

See all articles