Samsung Electronics: Hasil nod 4nm telah stabil, dan pengeluaran besar-besaran memori HBM3E 12H akan bermula pada suku kedua

Menurut berita dari laman web ini pada 30 April, Samsung Electronics berkongsi maklumat teknikal dan prospek masa depan perniagaan berkaitan semikonduktornya dalam laporan kewangan suku pertama yang dikeluarkan hari ini.

Samsung berkata bahawa kristal keseluruhan Pemulihan perniagaan faundri agak tertangguh, tetapi kecekapan operasi fab wafer telah bertambah baik sedikit sebanyak.

Dari segi teknologi, Samsung berkata bahawa teknologi nod 3nm dan 2nmnya berkembang dengan lancar dan akan melengkapkan pembangunan infrastruktur reka bentuk 2nm pada

suku ini

manakala dari segi

4nm nod, kadar hasil beransur stabil; . Samsung sedang bersedia untuk teknologi 4nm yang sesuai untuk IC 3D, dan merancang untuk membangunkan infrastruktur yang sesuai untuk nod matang seperti 14nm dan 8nm untuk memenuhi keperluan aplikasi yang berbeza.

Samsung mengesahkan bahawa ia masih

bercadang untuk mencapai pengeluaran besar-besaran teknologi 3nm generasi kedua pada separuh kedua tahun ini dan meningkatkan kematangan teknologi 2nm.

StorageSamsung berkata ia telah memulakan pengeluaran besar-besaran memori HBM3E 8H (8-lapisan susun) bulan ini, dan merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran produk HBM3E 12H yang menyediakan kapasiti tindanan tunggal 36GB dalam tempoh

suku ini

. Samsung akan terus meningkatkan bekalan HBM untuk memenuhi keperluan pasaran AI generatif.

Untuk DDR5 konvensional, 32Gb DDR5 Samsung berdasarkan proses 1bnm (12nm) juga akan dikeluarkan secara besar-besaran pada suku ini. Samsung merancang untuk mencapai peningkatan pengeluaran yang lebih pantas pada produk ini untuk meningkatkan daya saing syarikat dalam pasaran modul DDR5 berketumpatan tinggi.

Memori DDR5 1bnm 32Gb Samsung telah dikeluarkan pada September tahun lepas, dengan pengeluaran besar-besaran dijadualkan pada penghujung tahun 2023. Dalam bidang memori kilat NAND, Samsung telah mengesahkan lagi bahawa versi

QLC generasi ke-9 V-NAND akan dikeluarkan secara besar-besaran pada suku ketiga

.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung Electronics: Hasil nod 4nm telah stabil, dan pengeluaran besar-besaran memori HBM3E 12H akan bermula pada suku kedua. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!