本站5 月14 日消息，根據韓媒Hankyung 報道，兩大儲存巨頭SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體DRAM 生產線中已有兩成用於HBM 記憶體的生產。
相較於通用 DRAM，HBM 記憶體坐擁更高單價，不過由於 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統記憶體的兩倍乃至三倍。記憶體企業唯有提升產線佔比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。
正是在這種「產能佔用」的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會下降。
SK 海力士再次確認，根據截至今年底的生產能力，目前該企業已經完成了對2025 年HBM 內存產能的分配；
三星電子方面則稱自身HBM 訂單情況和對手大致相同，也已售罄，並預估明年不會出現HBM 內存供過於求的情況。
三星電子代表確認該公司 HBM4 記憶體計畫於明年完成開發，2026 年實現量產，並表示三星電子計畫在 HBM4 記憶體中開始應用混合鍵結。
本站稍早前的報告中提到，SK 海力士認為其在 HBM4 上就應用混合鍵合的可能性不大，持有同三星電子不一致的觀點。
此外，兩家企業都對企業級固態硬碟市場持樂觀態度，三星電子方面的代表認為相關需求的成長將是長期趨勢。
以上是SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產線已超兩成用於 HBM 內存的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
