本站 6 月 17 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，SK 海力士計劃大幅增加 1b nm 流程 DRAM 記憶體產能，以滿足 HBM3E 記憶體需求。
HBM 內存對 DRAM 裸片的消耗遠高於標準內存，因此 SK 海力士進一步擴張 1b nm 過程 DRAM 產能在一定程度上有助於緩解 HBM 內存目前的緊缺。
SK 海力士目標到今年底將 1b nm 內存晶圓投片量增至 9 萬片，明年上半年進一步增加到 14~15 萬片。
為此 SK 海力士計劃將其位於京畿道利川市的 M16 內存晶圓廠升級至 1b nm 工藝。
M16 目前生產 1y nm DRAM 記憶體。如果完全轉產至 1b nm，預計將導致 SK 海力士 1y nm 產能從現在的每月 12 萬片晶圓下降至 5 萬片。
韓媒引述半導體設備產業消息人士的話稱，SK 海力士已提出了對M16 晶圓廠進行設備移動和改造的要求，並計劃僅引進必需的沉積、光刻和蝕刻核心設備。
有相關人士表示，SK 海力士的追加投資仍受到先前儲存產業低潮期的影響，整體決策流程十分謹慎，不過目前相關訂單的成長已超出了上游設備廠商最初預期。
本站 4 月曾報道，SK 海力士計畫 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 記憶體晶圓廠的建置。韓媒提到，相關設備訂單預計在 2025 年初開始下單
以上是提升 1b nm DRAM 產能以滿足 HBM3E 記憶體需求，消息指出 SK 海力士正升級 M16 晶圓廠的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
