三星電子 2024 年底量產 256GB CXL 2.0 記憶體模組，基於 1y nm DRAM

本站7 月18 日消息，根據韓媒ZDNet Korea 報道，三星電子內存部門新業務規劃團隊負責人Choi Jang Seok 今日表示，三星將在今年底開始量產符合CXL 2.0 協議的256GB CMM-D 2.0模組。

此記憶體模組將配備較為成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 等級）製程 DRAM 記憶體顆粒，發揮 CXL 記憶體模組對 DRAM 顆粒效能要求較低的優勢。未來三星電子也將推出顆粒更為先進的版本。

▲三星電子CMM-D 模組

除CMM-D 外，三星電子還規劃了多個類型的CXL 儲存產品，包含配備多個CMM-D 模組的CMM-B 記憶體盒模組、同時搭載DRAM 記憶體和NAND 快閃記憶體顆粒的CMM-H 混合儲存模組。

ChoiJang Seok 提到三星電子正在內部研究另一類名為 CMM-DC 產品，在 CMM-D 的基礎上還具備運算能力。

展望未來，ChoiJang Seok 稱：「當 CXL 3.1 和池化（本站註：可在多個主機間共享 CXL 記憶體資源）技術得到支援後，CXL 市場將在 2028 年左右全面開花。」

以上是三星電子 2024 年底量產 256GB CXL 2.0 記憶體模組，基於 1y nm DRAM的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！