報告稱三星於華城 17 號產線量產 HBM3 內存，平澤 P4 產線全部轉向 DRAM 生產以彌補供應短缺

本站 7 月 21 日消息，繼消息稱三星預計今年第 3 季開始向英偉達出貨後，韓媒 sedaily 報道三星開始已在華城 17 號產線量產並向英偉達供應 HBM3 內存。

此外，為彌補 HBM 供應造成的通用 DRAM 記憶體供應短缺，平澤 P4 工廠轉為 DRAM 專用生產線。

本站先前報道，三星平澤 P4 工廠的代工業務已暫緩建設。韓媒稱 NAND 快閃產線也沒有進一步投資的計畫。

業內人士稱：

目前，P4 是三星（韓國）國內業務中唯一可以增加 DRAM 產能的空間。該公司已經制定了計劃，在可以增加半導體產能的空間首先投資 DRAM。

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