消息指出三星電子 V9 QLC NAND 快閃記憶體尚未獲量產就緒許可，影響平澤 P4 工廠規劃

本站 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產許可，對平澤 P4 工廠的產線建設規劃造成了影響。三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 快閃記憶體的 1Tb 容量 TLC 版本實現量產，對應的 QLC 版本則將於今年下半年進入量產階段。然而直到現在，三星電子並未對 V9 QLC NAND 快閃記憶體下達 PRA（本站註：應指 Production Readiness Approval）量產就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 快閃記憶體目前正是 AI 推理伺服器儲存需求的熱點。明星產品前景不明，使得三星電子內部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用於 NAND 生產存在不同聲音。

▲ 三星電子平澤園區根據三星電子先前的規劃，平澤P4 工廠將成為一個綜合性的半導體生產中心，其包含四個階段，可製造邏輯、NAND 、DRAM 等產品，
其中P4 工廠的第一階段用於NAND 生產、第二階段用於邏輯代工、第三和第四階段用於DRAM 製造。
不過由於晶圓代工訂單數量不足，而以HBM 為代表的DRAM 內存產品需求火爆，三星電子已於上半年調整了平澤P4 工廠投資計劃，先行建設DRAM 內存產線，推遲邏輯代工線建設。
三星電子目前在平澤 P4 工廠第一階段的 NAND 產能為每月 10000 片晶圓，此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標。
但 V9 QLC NAND 並未及時得到量產許可，導致有內部人士認為應該將第一階段的部分建設面積用於前景更明確的 DRAM 生產。

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