為 1000 層 NAND 快閃記憶體製造鋪路，泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

本站 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 快閃記憶體製造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已用於 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的突破。它能以埃米級精度創造高深寬比（本站註：High Aspect Ratio）圖形特徵，同時降低對環境的影響，蝕刻速度是傳統介電製程的兩倍以上。 Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智慧時代關鍵 NAND 製造障礙所需的蝕刻技術。在現有 3D NAND 的生產中，需要用從裝置頂部至底部的細長垂直孔道將各層儲存單元連接起來。而在孔道建構過程中，即使圖形特徵與目標輪廓出現原子級的輕微誤差，也可能對儲存新品的電氣性能產生負面影響，並可能影響良率。

而Lam Cryo 3.0 結合了高能密閉式等離子反應器、遠低於0℃工作溫度以及新的化學蝕刻物質，可蝕刻出深寬比達50:1、深度達10μm 的通道，同時從頂部到底部的特徵關鍵尺寸偏差不到0.1%。

此外相較傳統介電工藝，Lam Cryo 3.0 技術的蝕刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量減少了 90%。

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