本站8 月8 日消息，三星在2024 年閃存峰會(FMS) 上展示了多款SSD 新品——PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1，還對第九代QLC V-NAND、TLC V-NAND 以及CMM-D – DRAM 、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL 技術進行了介紹。
BM1743 採用QLC 閃存，容量可達128TB，連續讀取速度為7.5 GB/s，寫入速度3.5 GB/s，隨機讀取160 萬IOPS，寫入45000 IOPS，採用2.5 英寸外形和U.2接口，閒置功耗降低至4W，後續OTA 更新後甚至只需要2W。
PM1753 速度更快，連續讀取速度達14.8 GB/s，寫入速度11 GB/s，承諾可提供340 萬IOPS 隨機讀取性能，寫入60 萬IOPS，最大容量為32 TB，提供U .2 及E3.S 版本可選，其他細節尚未公佈。
三星 PPT 中也提到了一款容量為 1 PB 的 SSD，但預期發布日期是 2035 年。此外，容量為 256 TB 的 SSD 將於 2024~2026 年之間推出；512 TB 將在 2027~2029 年推出，僅規劃用於 EDSFF-E3.L 資料中心。至於消費級的 M.2，我們至少得等到 2027 年才能從三星買到 16 TB 的相關產品。
本站注意到，三星電子也在今日於北京舉辦的2024 年開放計算中國峰會（OCP China）上提到了多款產品，例如2023 年底推出的PM1743a（32TB / 64TB），以及資料中心級PM9D3a，以及基於第九代VNAND 技術的PM1753 等產品。
據介紹，作為三星業界首款8 通道PCIe Gen5 SSD，PM9D3a 突破了現有快閃記憶體層次結構的限制，實現了每TB 高達50K IOPS 的隨機寫入效能，並率先支援FDP 技術，已經在美國以及中國的主要資料中心完成引入測試。
三星電子即將推出的新一代 PCIe Gen5 SSD PM1753 與上一代產品相比，順序寫入效能提升 1.6 倍，隨機讀寫速度分別提升 1.3 和 1.7 倍。
三星表示，在追求技術突破的同時，AI 處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基於 TLC 技術的 PM1753 為例，其 AI 工作負載下的順序寫入能效比上一代相比提高 1.7 倍，在傳統伺服器中的隨機 I / O 操作的能效也提高了 1.6 倍。 AI 應用既要優化 I / O 操作時的功耗，同時也要降低 SSD 在待機狀態下的功耗。 PM1753 的閒置功耗已降至 4W，下一代產品計劃將閒置功耗壓縮至 2W，助力資料中心實現節能減排的目標。 PM1753 有望成為生成式 AI 伺服器應用程式所需的出色解決方案。
在演講末尾，三星也介紹了近期正在進行客戶測試的 HBM3E 記憶體產品，預計其速度可高達 9.8Gbps，頻寬不低於 1TB/s；而下一代 HBM4 產品預計會在 2025 年介紹給大家。同時，三星也提及了業界首款基於SoC（處理器）的CMM 產品CMM-H，包括CMM-PM 和CMM-H TM，分別針對資料持久性和虛擬機器遷移需求，為AI 時代提供更強大的記憶體解決方案。
以上是三星將推出 PM1753 資料中心級 SSD：順序讀取 14.8 GB/s，隨機讀取 340 萬 IOPS的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
