本站8 月16 日消息，首爾經濟日報昨日（8 月15 日）報道，三星將於2024 年第4 季至2025 年第1 季期間，安裝首台來自ASML 的High-NA EUV 光刻機，並預估2025 年中投入使用。
報道稱三星將在其華城園區內安裝首台ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻機，主要用於研發目的，開髮用於邏輯和DRAM 的下一代製造技術。
三星計劃圍繞高High-NA EUV 技術開發一個強大的生態系統：除了收購高NA EUV 光刻設備外，三星還與日本Lasertec 公司合作開發專門用於High-NA 光掩膜的檢測設備。
本站援引 DigiTimes 報告，三星已經購買了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜檢測工具 Actis A300。
1. 三星電子半導體研究所的Min Cheol-ki 博士在2024 年光刻與圖案化研討會上表示：「與傳統的[EUV 專用工具] 相比，使用[High -NA EUV 專用工具] 檢測半導體掩膜可將對比度提高30% 以上」。
- 報道也稱三星也與光阻製造商 JSR 和蝕刻機製造商東京電子公司合作，準備在 2027 年之前將高納 EUV 工具投入商業應用。
- 三星也與新思科技（Synopsys）合作，在光掩膜上從傳統的電路設計轉向曲線圖案。這項轉變有望提高電路壓印在晶片上的精度，這對進一步完善製程技術至關重要。
以上是三星被曝最快 2024 年底前開始安裝首台 ASML High-NA EUV 微影機的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
