DRAM記憶體的中文意義是動態隨機記憶體;隨機記憶體分為靜態隨機記憶體和動態隨機記憶體;DRAM記憶體的主要作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元是1還是0。
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DRAM記憶體的中文意義是什麼?
DRAM記憶體的中文意義是動態隨機記憶體。
隨機記憶體(RAM)分為靜態隨機記憶體和動態隨機記憶體。靜態隨機記憶體:讀寫速度快,生產成本高,多用於容量較小的高速緩衝記憶體。動態隨機記憶體:讀寫速度較慢,整合度高,多用於容量較大的主記憶體。
DRAM簡介:
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體記憶體,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於現實中電晶體會有漏電電流的現象,導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。
因此對於DRAM來說,週期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,靜態記憶體(SRAM)只要存入資料後,縱使不刷新也不會遺失記憶。
與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單-每個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理,相較之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有存取速度較慢,耗電量較大的缺點。
與大部分的隨機存取記憶體(RAM)一樣,由於DRAM中存在的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種易失性記憶體(volatile memory)裝置。
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