分別是：1、截止區，指晶體管輸出特性曲線中電晶體輸入電流為0所對應曲線下方的區域；2、放大區，指晶體管輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應的區域；3、飽和區，指集電接面和發射結均正偏，集極電流不受基極電流控制的區域。
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電晶體輸出特性曲線主要包括3個區域：截止區，放大區，飽和區。 3個區域表示電晶體不同的工作狀態。以下根據3個區域分別介紹電晶體的輸出特性。
截止區
電晶體截止區是指電晶體輸出特性曲線中電晶體輸入電流為0所對應曲線下方的區域。對於共射接法的電晶體，截止區是指電晶體輸出特性曲線中Ib=0曲線下方的區域，而Ib=0是因為Vbe 在截止區內，基極電流Ib=0，集極電流Ic≤Icbo，幾乎等於0，僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過，矽三極管的Iceo通常都在1μA以下。事實上，應該把Ie=0，也就是Ic≤Icbo的區域叫做截止區。此時，集電結和發射結均處於反向偏壓狀態。 放大區 電晶體放大區是指晶體管輸出特性曲線中每個曲線近似水平部分的集合所對應的區域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的範圍內，集電極電流I(C)與U(CE)無關，只取決於I(B)的值。根據此特性，可實現利用I(B)的變化去線性控制I(C)的變化，進而實現電流的線性放大，故放大區也成為線性區。此時，發射結正偏，集電結反偏，I(C)=β·I(B) , 且△I(C) =β·△I(B)。 飽和區 電晶體飽和區是指集電接面和發射結均正偏，集極電流不受基極電流控制的區域，也稱為飽和工作區。對於共射接法電晶體，飽和區是I(B)>0和U(CE)<0.7V的區域。 當U(CE)<0.7V時，U(CB)=U(CE) 綜上，電晶體在飽和區內工作時的主要特徵有： （1）集電結和發射結均正偏； （2）I (C)取值與U(CE)有很大關係，I(C)隨U(CE)的增大而增大； （3）I(C)取值與I(B )不成比例，線性放大無法實現； （4）電晶體沒有放大作用，集極和發射極相當於短路，可與截止區配合，用於開關電路。 更多相關知識，請造訪常見問題欄位！ 以上是電晶體的輸出特性曲線通常分為三個區域，分別是什麼的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
