vcsel一般指垂直腔面發射雷射器，是一種半導體，其雷射垂直於頂面射出，與一般用切開的獨立晶片製程，雷射由邊緣射出的邊射型雷射有所不同；因為VCSEL是從積體電路的頂面發出雷射光，所以它們被分割成單獨的個體以前，可以直接在晶片上測試；這可以節省半導體製作過程中裝置的花費及使用；這也允許VCSEL的製作不再只是一維，而可以是二維的排列。
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vcsel晶片是什麼？
vcsel（vcsel）一般指垂直腔面發射雷射
垂直腔面發射雷射（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型雷射）是一種半導體，其雷射垂直於頂面射出，與一般用切開的獨立晶片製程，雷射由邊緣射出的邊射型雷射有所不同。
在製作的過程中，VCSEL比邊射型雷射多了許多優點。邊射型雷射在製作完成後才可進行測試。若一個邊射型雷射無法運作，不論是因為接觸不良或物質成長的品質不好，都會浪費製作過程與物質加工的處理時間。然而VCSEL可以在製造的任何過程中，測試其品質並且作問題處理，因為VCSEL的激光是垂直於反應區射出，與邊射型激光平行於反應區射出相反，所以可以同時有數萬個VCSEL在一個三英寸大的砷鎵晶片上被處理。此外，既使VCSEL在製造的過程需要較多的勞動與較精細的材料，生產結果是可控制的及更多可被預期的。
特性
因為VCSEL是從積體電路的頂面發出雷射光，所以它們被分割成單獨的個體以前，可以直接在晶片上測試。這可以節省半導體製作過程中裝置的花費及使用。這也允許VCSEL的製作不再只是一維，而可以是二維的排列。
較大的VCSEL輸出孔徑，與大多數邊射型雷射比較，產生輸出光束的一個較低的發散角，並且使光纖的連線效率更高。
與大多數的邊射型雷射比較，一個高反射率的鏡子減少了VCSEL的閘值電流，造成低功率的消耗。然而至今，VESEL所發射的能量比邊射型雷射少。較低的閘值電流也允許VCSEL存有高本質的調整頻寬。
VCSEL的波長在反應區的獲得帶中，可以藉由調節反射層的厚度而改變。
早期VCSEL的放射光為縱向多模或細絲模式，而現今VCSEL多為單模。
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