dram是記憶體條。 DRAM中文意思是“動態隨機存取記憶體”，它的一個主要特徵是斷電後資料會遺失，平時說的記憶體就是指這一種，通常使用一個電晶體和一個電容器來代表一個位元。 DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低；DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。
本教學操作環境：windows7系統、Dell G3電腦。
dram是記憶體條。
記憶體列概述
記憶體條是連接CPU 和其他裝置的通道，起到緩衝和資料交換作用。當CPU在工作時，需要從硬碟等外部記憶體上讀取數據，但由於硬碟這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部記憶體之間，建造了一個「小倉庫」—記憶體。
記憶體條作用
記憶體是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows7系統、打字軟體、遊戲軟體等，一般都是安裝在硬碟等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，其實都是在記憶體中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的資料儲存在外存上，而把一些暫時的或少量的資料和程式放在記憶體上。
記憶體條分類
記憶體分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機記憶體，它的一個主要特徵是斷電後資料會遺失，我們平常說的記憶體就是指這一種；後者又叫唯讀記憶體，我們平常開機首先啟動的是存於主機板上ROM中的BIOS程序，然後再由它去呼叫硬碟中的Windows，ROM的一個主要特徵是斷電後資料不會遺失。
根據記憶體條上的腳位多少，我們可以把記憶體條分成30線、72線、168線等幾種。 30線與72線的記憶體條又稱為單列記憶體模組SIMM，(SIMM就是一種兩側金手指都提供相同訊號的記憶體結構，)168線的記憶體條又稱為雙列記憶體模組DIMM。目前30線內存條已經沒有了;前幾年的流行品種是72線的內存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場的主流品種是168線內存條，168條記憶體的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基於VX、TX、BX晶片組的主機板才支援168線的記憶體條。
按記憶體的運作方式，記憶體又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動態RAM)等形式。
FPM(FAST PAGE MODE)RAM
快速頁面模式隨機存取記憶體：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每隔三個時脈週期傳送一次資料。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
擴充資料輸出隨機存取記憶體：EDO記憶體取消了主機板與記憶體兩個儲存週期之間的時間間隔，他每個兩個時脈週期輸出一次數據，大大縮短了存取時間，使儲存速度提高30%。 EDO通常是72腳，EDO記憶體已經被SDRAM取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM
同步動態隨機存取記憶體：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM以上機型所使用的記憶體。 SDRAM將CPU與RAM透過一個相同的時脈鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時脈週期，以相同的速度同步工作，每一個時脈的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO記憶體提高50% 。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM
SDRAM的更新換代產品，他允許在時脈的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提升SDRAM的速度。
RDRAM(RAMBUS DRAM)
記憶體匯流排式動態隨機存取記憶體。 RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統頻寬，晶片到晶片介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內透過一個簡單的匯流排傳輸資料。他同時使用低電壓訊號，在高速同步時脈的兩邊沿傳輸資料。 INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支援。
DRAM（動態隨機存取記憶體）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體），最常用的一種電腦記憶體。它通常使用一個晶體管和一個電容器來代表一個位元。和ROM及PROM等韌體記憶體不同，隨機存取記憶體的兩種主要類型(動態和靜態)都會在切斷電源之後，遺失所儲存的資料。
DRAM是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多少來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，週期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。
與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單－每個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相較之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。
與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於DRAM中存在的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性記憶體（volatile memory）裝置。
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