6月30日消息，根據韓媒The Elec報道，三星儲存業務高層最近參加了電子工程師協會2023年夏季會議，並向與會者透露了關於三星V-NAND技術的最新進展。根據三星高層表示，他們計劃在2030年前將V-NAND技術疊加到超過1000層。
自2013年三星首次推出24層V-NAND技術以來，經過十年的發展，三星已成功將該技術拓展到200多層。這使得三星成為了韓國在創造技術和生態系統方面的一項重要成就，並延續了NAND技術的歷史。
三星高層表示，V-NAND技術的競爭將持續到超過1000層，並指出了在實現這一目標時面臨的挑戰。他們將面臨穩定性問題，就像建造摩天大樓一樣需要考慮坍塌、彎曲和斷裂等因素。此外，他們還需要解決連接孔加工流程、電池幹擾最小化、層高縮短以及每層儲存容量擴大等問題。
據小編了解，三星儲存業務主管在會議上強調了V-NAND技術的重要性和潛力。他們表示，V-NAND技術不僅延續了NAND的發展歷程，也成為了韓國國家創造技術和生態系統的成功典範之一。
三星儲存業務一直致力於推動NAND技術的發展，並透過不斷創新和突破將V-NAND技術推向新的高度。隨著V-NAND技術的進一步演進，未來我們可以期待儲存容量的進一步提升和效能的提高，這將對各行業的發展和創新產生積極的影響。
以上是三星預測2030年將推出1000層以上的NAND技術的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！
