今年 NAND 市場預計下滑43%,規模將達346億美元
本站8 月16 日消息,根據市場調查機構WebFeet Research 發布的最新預測報告,2023 年全年NAND 市場規模為346 億美元(本站備註:當前約2525.8 億元),年減43%。

儘管人工智慧浪潮對於快閃記憶體市場的影響尚不確定,但可以預見的是,伺服器、筆記型電腦和智慧型手機的需求正在減少
儘管全球宏觀經濟趨於穩定,但該機構分析師預計各種負面風險因素仍將持續存在至今年年底
目前,由於2023年上半年PC需求低迷,NAND廠商正在採取減產措施來緩解高庫存問題
儘管得到各國政府的強力支持,但NAND 銷售額的急劇下降使得許多閃存製造商陷入了困境
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Rufus是創建可啟動安裝媒體的絕佳工具,許多人使用它在他們的PC上執行Windows的全新安裝。但是,許多用戶在Windows11上報告了Rufus錯誤。這些錯誤將阻止您建立安裝媒體,從而阻止您安裝Windows11或任何其他作業系統。幸運的是,解決這些問題相對簡單,在今天的教程中,我們將向您展示可用於解決此問題的最佳方法。為什麼在Rufus中格式化時出現未確定的錯誤在Windows11上?造成這種情況的原因有很多,在大多數情況下,這只是導致此問題的軟體故障。您可以通

在Windows11上安裝BalenaEtcher的步驟在這裡,我們將展示無需訪問其官方網站即可在Windows11上安裝BalenaEthcer的快速方法。 1.開啟命令終端機(以管理員身分)右鍵點選「開始」按鈕並選擇「終端機」 ( Admin )。這將開啟具有管理權限的Windows終端,以安裝軟體並以超級使用者身分執行其他重要任務。 2.在Windows11上安裝BalenaEtcher現在,在您的Windows終端機上,只需執行使用預設Windows套件管理器

本站7月30日消息,美光當地時間今日宣布,其第九代(本站註:276層)3DTLCNAND閃存量產出貨。美光錶示其G9NAND擁有業界最高的3.6GB/sI/O傳輸速率(即3600MT/s快閃記憶體介面速率),較2400MT/s的現有競品高出50%,能更好滿足資料密集型工作負載對高吞吐量的需求。同時美光的G9NAND在寫入頻寬和讀取頻寬方面比市場上的其他解決方案分別高出99%和88%,這一NAND顆粒層面的優勢將為固態硬碟和嵌入式儲存方案帶來效能與能效的提升。此外,與前代美光NAND快閃記憶體一樣,美光276

本站7月3日消息,根據韓媒TheElec報道,三星在其第9代V-NAND的「金屬佈線」(metalwiring)中首次嘗試使用鉬(Mo)。本站註:半導體製造過程中八大製程分別為:晶圓製造氧化光刻蝕沉積金屬佈線測試封裝金屬佈線製程主要是使用不同的方式連接數十億個電子元件,形成不同的半導體(CPU 、GPU等),可以說是「為半導體注入了生命」。消息人士指出三星公司已從LamResearch公司引進了五台Mo沉積機,此外還計劃明年再引進20台設備。除三星電子外,SK海力士、美光和Kioxia等公司也在

8月9日消息,在FMS2024峰會上,SK海力士展示了其最新的儲存產品,包括尚未正式發布規範的UFS4.1通用快閃記憶體。根據JEDEC固態技術協會官網訊息,目前公佈的最新UFS規範是2022年8月的UFS4.0,其理論介面速度高達46.4Gbps,預計UFS4.1將在傳輸速率上實現進一步的提升。 1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用快閃記憶體產品,基於321層V91TbTLCNAND快閃記憶體。 SK海力士也展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC顆粒。海力士展示了基於V7

根據TrendForce的調查報告顯示,AI浪潮對DRAM記憶體和NAND快閃記憶體市場帶來明顯影響。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦諮詢在今日的最新研報中稱該機構調升本季兩類儲存產品的合約價格漲幅。具體而言,TrendForce原先預估2024年第二季DRAM記憶體合約上漲3~8%,現估計為13~18%;而在NAND快閃記憶體方面,原預估上漲13~18%,新預估為15 ~20%,僅eMMC/UFS漲幅較低,為10%。 ▲圖源TrendForce集邦諮詢TrendForce表示,該機構原預計在連續

本站8月9日消息,根據SK海力士當地時間昨天發布的新聞稿,該企業在FMS2024峰會上展示了系列存儲新品,其中就包括尚未正式發布規範的USF4.1通用閃存。根據JEDEC固態技術協會官網,目前已發表的最新UFS規範是2022年8月的UFS4.0。 UFS4.0指定了每個裝置至高46.4Gbps的理論介面速度,預計USF4.1將在傳輸速率方面進一步提升。 ▲JEDECUFS規範頁面SK海力士此次展示了兩款UFS4.1通用閃存,容量分別為512GB和1TB,均基於321層堆疊的V91TbTLCNAND閃

本站3月28日消息,根據台媒DIGITIMES報道,長江存儲在中國閃存市場峰會CFMS2024上表示採用第三代Xtacking技術的X3-6070QLC閃存已實現4000次P/E的擦寫壽命。本站註:不同於保固期,消費級原廠TLC固態硬碟在測試中普遍至少擁有3000次P/E等級的擦寫壽命。 ▲圖源中國快閃記憶體市場高峰會CFMS官方,下同長江儲存CTO霍宗亮表示,目前NAND快閃記憶體產業已度過了最艱難的2023年,今年將進入上升期,預計2023~2027年的快閃記憶體需求總量複合成長率可達21%,單一設備平均容量的複
