SK海力士發表24GB行動DRAM:智慧型手機效能再次提升
SK海力士在8月11日宣布了一項最新突破,正式推出了適用於智慧型手機等行動裝置的高效能DRAM(內存)LPDDR5X1(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)的24GB封裝產品。據稱,這款產品將為行動裝置帶來更強大的性能
根據小編的了解,SK海力士去年11月成功生產了LPDDR5X,並且透過進一步的技術發展,他們推出了容量為24GB的行動DRAM封裝,並已開始供應。這個舉措為智慧型手機製造商帶來了新的機遇,特別是在多任務處理和大型應用程式運行方面
#據業內人士透露,備受期待的一加Ace 2 Pro已迅速與合作夥伴達成合作。近日,一加中國區總裁李傑與SK海力士大中華區CTO共同宣布,這款手機將成為全球首款搭載24GB運存的手機。此次量產標誌著技術的重大突破,為使用者提供更卓越的多工處理和高效能使用體驗
SK海力士在短短幾個月內取得的進展令人矚目。今年1月份,他們就宣布成功開發出LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo),這是目前速度最快的行動DRAM之一,運作速度比現有產品快13%。此外,SK海力士計劃從今年下半年開始量產10奈米級第4代(1a)精細製程產品,並將應用「HKMG(High-K metal Gate)」工藝,以進一步提升內存速度,同時降低功耗。
SK海力士在移動DRAM領域的持續創新為智能手機等移動設備的性能提升注入了新的活力,隨著技術的進一步進步,我們可以期待在不遠的將來見證更多令人矚目的發展
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1t記憶體等於1024GB。 1t記憶體是指記憶體的儲存容量為“1TB”,而1TB等於1024GB。但這只是電腦原理中理論上的數值,一般在系統顯示可用儲存空間中會偏少;因為硬碟製造商對硬碟的定義與電腦對硬碟容量的演算法不同,導致硬碟標識容量和作業系統中顯示的實際容量存在誤差。

1g記憶體是1024MB。 g全名為“GB”,中文意思為“吉字節”,而MB是指“兆字節”;GB和MB都是常使用在標示電腦硬碟、記憶體等具有較大容量的儲存媒介之儲存容量, GB和MB換算率約等於1000(1024),即「1GB=1024MB」。

本站 6 月 24 日消息,韓媒 BusinessKorea 報道,業內人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會上發表了有關 3D DRAM 技術的最新研究論文。在這篇論文中,SK 海力士報告其五層堆疊的 3D DRAM 內存良率已達 56.1%,實驗中的 3D DRAM 展現出與目前 2D DRAM 相似的特性。據介紹,與傳統的 DRAM 水平排列記憶體單元不同,3D DRAM 垂直堆疊單元,可在相同空間內實現更高的密度。不過,SK海力士

本站9月3日消息,韓媒etnews當地時間昨報道稱,三星電子和SK海力士的「類HBM式」堆疊結構行動記憶體產品將在2026年後實現商業化。消息人士表示這兩大韓國記憶體巨頭將堆疊式行動記憶體視為未來重要收入來源,並計劃將「類HBM記憶體」擴展到智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦中,為端側AI提供動力。綜合本站先前報導,三星電子的此類產品叫做LPWideI/O內存,SK海力士則將這方面技術稱為VFO。兩家企業使用了大致相同的技術路線,即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。三星電子的LPWideI/O內存位寬達512

1g等於1024MB記憶體容量。 g全名為“GB”,中文意思為“吉字節”,是一種十進制的信息計量單位,常使用在標示電腦硬碟、記憶體等具有較大容量的儲存媒介之儲存容量。 GB和MB換算率約等於1000(1024),即「1GB = 1024MB」。

8月9日消息,在FMS2024峰會上,SK海力士展示了其最新的儲存產品,包括尚未正式發布規範的UFS4.1通用快閃記憶體。根據JEDEC固態技術協會官網訊息,目前公佈的最新UFS規範是2022年8月的UFS4.0,其理論介面速度高達46.4Gbps,預計UFS4.1將在傳輸速率上實現進一步的提升。 1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用快閃記憶體產品,基於321層V91TbTLCNAND快閃記憶體。 SK海力士也展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC顆粒。海力士展示了基於V7

本站8月9日消息,根據SK海力士當地時間昨天發布的新聞稿,該企業在FMS2024峰會上展示了系列存儲新品,其中就包括尚未正式發布規範的USF4.1通用閃存。根據JEDEC固態技術協會官網,目前已發表的最新UFS規範是2022年8月的UFS4.0。 UFS4.0指定了每個裝置至高46.4Gbps的理論介面速度,預計USF4.1將在傳輸速率方面進一步提升。 ▲JEDECUFS規範頁面SK海力士此次展示了兩款UFS4.1通用閃存,容量分別為512GB和1TB,均基於321層堆疊的V91TbTLCNAND閃

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