三星電子計劃於明年推出超過300層的雙層堆疊V-NAND快閃記憶體技術

根據最新報道，三星電子計劃在明年推出第9代V-NAND快閃記憶體產品。這款新產品將採用超過300層的雙層堆疊架構，為儲存技術領域帶來了突破

三星計畫引入雙層堆疊架構，以在技術進步方面超越競爭對手SK海力士。據報道，SK海力士計劃在2025年上半年開始量產三層堆疊架構的321層NAND快閃記憶體。然而，早在2020年，三星已成功生產出第7代V-NAND快閃記憶體晶片

這項創新舉措預計將大幅提升儲存密度，有助於降低固態硬碟的製造成本，為消費者提供更具性價比的儲存解決方案。三星的雙層堆疊架構技術是在現有的3D NAND堆疊基礎上建構的新堆疊，這種方法不僅能提高產量，還能更有效率地利用資源

根據小編的了解，SK海力士採用了與競爭對手不同的三層堆疊架構。這種架構是在一個3D NAND層上創造了三組不同的層。雖然這樣做可以提高產量，但也會增加生產步驟和原材料的使用量

有業內人士向《首爾經濟日報》透露，三星在推出第9代3D NAND後，預計在第10代產品中採用三層堆疊架構，預計將達到430層。這種技術選擇不僅能夠確保更高的產量，還可以應對超過400層時可能出現的原材料和成本壓力。

在2022年的「2022三星科技日」上，三星提出了雄心勃勃的長期目標，計劃在2030年將3D NAND的層數推升至1000層。這個目標顯示了三星對於未來儲存技術發展的執著追求。

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