英特爾計劃在2025年前將其3D Foveros封裝產能提升至四倍

本站 8 月 22 日消息，英特爾正積極投入先進製程研發，也同步強化其先進封裝業務，目前正在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠，強化 2.5D / 3D 封裝佈局版圖。

該公司表示，規劃到 2025 年時，其 3D Foveros 封裝的產能將增加四倍。英特爾副總裁 Robin Martin 今天在檳城受訪時透露，未來檳城新廠將成為該公司最大的 3D 先進封裝據點。

2021 年，英特爾宣布將投資 71 億美元（本站備註：目前約 517.59 億元）在檳城峇六拜建造由英特爾營運的全新領先半導體封裝工廠。

根據英特爾的說法，晶片的封裝作為處理器和主機板之間的物理接口，在產品級性能方面起著至關重要的作用。先進的封裝技術能夠方便各種計算引擎實現多進程技術的集成，並有助於在系統架構中採用全新的方法

據介紹，英特爾的Foveros封裝技術採用3D堆疊來實現邏輯對邏輯的集成，為設計人員提供了極大的靈活性，從而在新設備外形要素中混搭使用技術IP塊與各種內存和輸入/輸出元素。產品可以分成更小的小晶片（chiplet）或塊（tile），其中I/O、SRAM和電源傳輸電路在基礎晶片中製造，高性能邏輯小晶片或塊堆疊在頂部

除此之外，英特爾的全新封裝功能正在解鎖新的設計，透過將EMIB 和Foveros 技術相結合，允許不同的小晶片和區塊互連，性能基本上相當於單一晶片。憑藉 Foveros Omni，英特爾稱設計人員利用封裝中的小晶片或塊可獲得更大的通訊靈活性。

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