TrendForce:第二季 DRAM 記憶體產業營收止跌回升,季增 20.4%
本站 8 月 24 日消息,TrendForce 最新研究显示,第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元,环比增长 20.4%,终结连续三个季度的跌势。
分析师表示,本季度的增长是由于人工智能服务器需求的增加,推动了高带宽内存(HBM)的出货量增长,再加上客户端DDR5的备货潮,导致三大原厂的出货量都有所增长
其中,SK 海力士出货量环比增长超过 35%,且平均价(ASP)较高的 DDR5、HBM 出货占比显著增长,因此逆势成长 7~9%,Q2 营收环比增长近 5 成达 34.4 亿美元(本站备注:当前约 250.43 亿元人民币),回归第二名。 重写后的内容:由于SK 海力士的出货量环比增长超过 35%,且平均价(ASP)较高的DDR5、HBM出货占比显著增长,因此逆势成长了7~9%。第二季度的营收环比增长近 5 成,达到了34.4 亿美元(约合人民币 250.43 亿元),使其重新回到了第二名的位置

三星电子目前DDR5制程相对落后,且占比有限,再加上ASP下跌约7~9%,但得益于Q2模组厂备货及AI服务器建设需求故出货略增长,因此Q2营收环比增长8.6%,营收达45.3亿美元(当前约329.78亿元人民币)位居第一名
虽然美光在HBM技术的发展方面落后,但DDR5仍然占据一定的出货比重,使得平均售价保持稳定。在出货量的推动下,美光的营收约为29.5亿美元(约合214.76亿元人民币),环比增长15.7%。然而,三星和美光的市场份额都有所缩减
除此之外,南亚科、华邦同样略有增长,而力积电受需求冷清影响,及其制程较为落后,缺乏竞价优势,DRAM 营收衰退约 10.8%,为本季唯一衰退的原厂,若计算代工营收的话则衰退 7.8%。
相关推荐:
《三星电子 DRAM 内存市场份额创近 9 年新低,但仍是全球第一》
根据Omdia的报告,三星在DRAM市场中占据领先地位,市场份额达到42.8%,但营收同比下降了61.2%
广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,本站所有文章均包含本声明。
以上是TrendForce:第二季 DRAM 記憶體產業營收止跌回升,季增 20.4%的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!

熱AI工具

Undresser.AI Undress
人工智慧驅動的應用程序,用於創建逼真的裸體照片

AI Clothes Remover
用於從照片中去除衣服的線上人工智慧工具。

Undress AI Tool
免費脫衣圖片

Clothoff.io
AI脫衣器

Video Face Swap
使用我們完全免費的人工智慧換臉工具,輕鬆在任何影片中換臉!

熱門文章

熱工具

記事本++7.3.1
好用且免費的程式碼編輯器

SublimeText3漢化版
中文版,非常好用

禪工作室 13.0.1
強大的PHP整合開發環境

Dreamweaver CS6
視覺化網頁開發工具

SublimeText3 Mac版
神級程式碼編輯軟體(SublimeText3)

本文將探討主機板上的DRAM指示燈的作用。當主機板上的DRAM指示燈顯示為橘色,但沒有任何顯示時,可能表示存在一些硬體問題。在這種情況下,本文將提供一些建議來解決這些問題。主機板上的DRAM指示燈為橘色,但沒有顯示主機板是電腦的核心硬件,連接其他硬體組件如CPU、RAM和硬碟。當硬體出現問題,主機板會發出警報音或透過LED指示燈顯示問題。若DRAM指示燈為橘色但沒有顯示,可嘗試以下建議。執行硬重置清除CMOS重新拔插您的記憶體條並檢查各個記憶體條刷新您的BIOS問題可能出在您的記憶體或CPU上獲得專業支援讓

韓媒TheElec報告稱,三星和美光將在下一代DRAM記憶體中,即1cnm製程中引進更多新技術。這項舉措可望進一步提升記憶體效能和能源效率。三星和美光作為全球DRAM市場的主要領導者,其技術創新將推動整個產業的發展。這也意味著未來的記憶體產品將更加高效和強大。本站註:1cnm世代即第六個10+nm世代,美光也稱之為1γnm製程。目前最先進的記憶體為1bnm世代,三星稱其1bnm為12nm級製程。分析機構TechInsights高級副總裁ChoiJeong-dong在近日的研討會上表示,美光將在1cnm節

本站 6 月 24 日消息,韓媒 BusinessKorea 報道,業內人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會上發表了有關 3D DRAM 技術的最新研究論文。在這篇論文中,SK 海力士報告其五層堆疊的 3D DRAM 內存良率已達 56.1%,實驗中的 3D DRAM 展現出與目前 2D DRAM 相似的特性。據介紹,與傳統的 DRAM 水平排列記憶體單元不同,3D DRAM 垂直堆疊單元,可在相同空間內實現更高的密度。不過,SK海力士

dram燈一直亮開不了機的解決辦法:1、檢查內存條是否正確安裝在內存插槽中,將內存插入到插槽中並確保已經牢固固定在位;2、使用壓縮氣體或軟刷清理內存插槽,確保沒有灰塵或雜質影響記憶體條的接觸;3、檢查記憶體條是否損壞或無法正常工作,選擇與主機板相容的記憶體條更換,並確保記憶體條的規格、容量和速度與主機板的要求相符;4、重新插拔內存條,確定內存條接觸良好;5、更換主機板。

本站9月3日消息,韓媒etnews當地時間昨報道稱,三星電子和SK海力士的「類HBM式」堆疊結構行動記憶體產品將在2026年後實現商業化。消息人士表示這兩大韓國記憶體巨頭將堆疊式行動記憶體視為未來重要收入來源,並計劃將「類HBM記憶體」擴展到智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦中,為端側AI提供動力。綜合本站先前報導,三星電子的此類產品叫做LPWideI/O內存,SK海力士則將這方面技術稱為VFO。兩家企業使用了大致相同的技術路線,即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。三星電子的LPWideI/O內存位寬達512

根據TrendForce的調查報告顯示,AI浪潮對DRAM記憶體和NAND快閃記憶體市場帶來明顯影響。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦諮詢在今日的最新研報中稱該機構調升本季兩類儲存產品的合約價格漲幅。具體而言,TrendForce原先預估2024年第二季DRAM記憶體合約上漲3~8%,現估計為13~18%;而在NAND快閃記憶體方面,原預估上漲13~18%,新預估為15 ~20%,僅eMMC/UFS漲幅較低,為10%。 ▲圖源TrendForce集邦諮詢TrendForce表示,該機構原預計在連續

本站8月12日消息,韓媒ETNews通報稱,三星電子內部已確認在平澤P4工廠建設1cnmDRAM內存產線的投資計劃,該產線目標明年6月投入運營。平澤P4是一座綜合半導體生產中心,分為四期。在早前規劃中,一期為NAND快閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為DRAM記憶體。三星已在P4一期導入DRAM生產設備,但擱置了第二期建設。而1cnmDRAM是第六代20~10nm級內存工藝,各家的1cnm(或對應的1γnm)產品目前均尚未正式發布。韓媒在報道中稱,三星電子計畫在今年底啟動1cnm記憶體生產。 ▲三星平澤

本站4月9日消息,根據韓媒Businesskorea報道,SK海力士、三星電子預計於年內先後啟動1c奈米DRAM記憶體的量產。進入20~10nm製程後,一般以1+字母的形式稱呼內存世代,1cnm即對應美光的1-gammanm表述,為第六個10+nm過程世代。三星方面稱呼上一世代1bnm為「12nm級」。三星近期在產業會議Memcon2024上表示,其計畫在今年底前實現1cnm流程的量產;而近日據產業消息人士透露,SK海力士內部已製定在三季量產1cnmDRAM記憶體的路線圖。 SK海力士計劃提前做好準
